测试芯片端口的TLP等级可以打很高，但是HBM却很低是什么原因？

laughing125 · 发表于 2020-9-7 17:31:31

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esd的分立器件TLP可以达到15A以上，把独立器件用到芯片以后，TLP反而能达到更高，有20A+，甚至30A+。但是测试HBM的时候等级却很低，可能都只有4KV左右。也不满足1.5倍的关系。请问有大神知道是什么原因吗？

winningzhong · 发表于 2020-9-7 18:18:04

很大的可能性是内部电路先坏了，ESD器件不能很好地保护内部电路。

qwertyu6140 · 发表于 2020-9-11 16:40:10

TLP打到20A，一般SHORT状态下，最达20A，除非芯片打坏了，打到20A的，如果芯片还好的话，照这样算的话要30KV的HBM的，设备最大就8KV，不可能只打4KV就坏的，

andyjackcao · 发表于 2020-9-13 19:58:21

在测试HBM时，有直接测试过8KV没？而不是从低往上测试

suifengpiaoyang · 发表于 2020-9-13 23:30:16

看起来是写的电流数据少了个小数点吧

qwertyu6140 · 发表于 2020-9-14 08:44:30

andyjackcao 发表于 2020-9-13 19:58
在测试HBM时，有直接测试过8KV没？而不是从低往上测试

HBM直接打8KV没有问题的啊，测试后会自动测I/V曲线的，I/V曲线测试通过的话，就说明没有问题啊，没有通过，说明器件就打坏了，

andyjackcao · 发表于 2020-9-14 21:12:49

qwertyu6140 发表于 2020-9-14 08:44
HBM直接打8KV没有问题的啊，测试后会自动测I/V曲线的，I/V曲线测试通过的话，就说明没有问题啊，没有通过 ...

那你这个测试结果是，4KV以前，和8KV之后，ESD没有问题，在4KV~8KV 测试时，ESD 的HBM测试失效？

laughing125 · 发表于 2020-9-15 22:35:31

andyjackcao 发表于 2020-9-14 21:12
那你这个测试结果是，4KV以前，和8KV之后，ESD没有问题，在4KV~8KV 测试时，ESD 的HBM测试失效？

...

我们芯片过不了8KV，4KV左右漏电就开始飘，但是测TLP明明能打20A左右漏电都没问题，是测同一款芯片的同一个IO-GND，这就感到很奇怪，我印象中HBM波形和TLP波形没这么大差异吧。

521lkh · 发表于 2020-9-16 20:57:02

IO to GND 的HBM 你也是单Pin测试的吗？还是IO捆绑在一起测试的？

andyjackcao · 发表于 2020-9-16 21:50:46

laughing125 发表于 2020-9-15 22:35
我们芯片过不了8KV，4KV左右漏电就开始飘，但是测TLP明明能打20A左右漏电都没问题，是测同一款芯片的同一 ...

我们芯片过不了8KV，4KV左右漏电就开始飘，但是测TLP明明能打20A左右漏电都没问题，是测同一款芯片的同一个IO-GND，这就感到很奇怪，我印象中HBM波形和TLP波形没这么大差异吧。

这个和ESD结构和内部电路相关
1），TLP能打到20A，是只打了Positive脉冲还是，Positive/Negative脉冲

2），内部电路脆弱点，在TLP脉冲测试时，不会表现出来

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