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[求助] ESD PMOS SEM image, EOS or ESD?

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发表于 2020-9-5 11:18:52 | 显示全部楼层 |阅读模式

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请教大神,
在这个PMOS的SEM image里,可以看到crack, rupture, contact disformation.
问题:
1). EOS 还是ESD damage? 哪个可能性大一些?
2). 从细节图上看,(1~5)的位置分别是哪些层?(Polly, Spacer, Silicide, diffusion 在这个图上怎么区分)
3). 从这个图上还可以看到哪些特殊设计及制程?

SEM image

SEM image
发表于 2020-9-7 10:14:02 | 显示全部楼层
这是GGNMOS把,漏加宽了,坏点在漏端cont孔附近,像是ESD损伤
 楼主| 发表于 2020-9-7 11:48:28 | 显示全部楼层
谢谢。。。这个是PMOS. 左边的图看到好多的点有这种rupture. ESD能量有这么厉害吗?
发表于 2020-9-8 16:11:49 | 显示全部楼层


chu8xv03 发表于 2020-9-7 11:48
谢谢。。。这个是PMOS. 左边的图看到好多的点有这种rupture. ESD能量有这么厉害吗? ...


打TLP的时候见过这样的损伤,TLP能量应该跟HBM模式的ESD脉冲能量差不多。
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