deep-Nwell和NBL

Sxiaojie · 发表于 2023-3-22 09:16:51

843071455 发表于 2020-9-18 15:39
没有太明白你的意思？你是说nbl和dnw不能共存？我做过很多的工艺，器件是可以同时做nbl和dnw的。 ...

好像确实是你说的，有的工艺有 ...nbl...类型的器件，同时有NBL和DNW

nickesun · 发表于 2023-8-31 16:40:36

NBL相当于碗底，DNW相当于碗壁。DNW和NBL一样大的时候，就成了盘子。器件做在碗里。

cephalus · 发表于 2023-11-9 15:21:38

作用类似，但NBL比DNW更深，NBL下探到psub，而DNW只做在pepi里面，它们形成的垂直NPN耐压不同，所以一般NBL做碗底的管子比DNW做碗底的管子耐压更高

lndxeb · 发表于 2023-11-23 17:02:46

一般用到DNW的工艺不会再用NBL吧，DNW+NWELL 环可以取代NBL+EPI结构

Chiptech · 发表于 2024-8-12 11:43:13

DNW与NBL可以同时存在；有工艺中同时有DNW隔离device和NBL隔离device，DNW隔离耐压也不一定低，只是ISO耐压固定不可调，比如固定到45V；NBL耐压可调，比如可通过property选择7V环或20V环或45V环。

真诚的小鲸鱼 · 发表于 2024-11-18 09:11:36

我也是想要知道的

虚山克冰 · 发表于 2025-8-8 10:51:19

lndxeb 发表于 2023-11-23 17:02
一般用到DNW的工艺不会再用NBL吧，DNW+NWELL 环可以取代NBL+EPI结构

是的，DNW是离子注入进去的，NBL是从psub长出来的，一般认为使用NBL性能会好于DNW，不过看厂商的定义，有的厂商把侧边的NW定义为DNW层也是厂商自己的自由

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