怎样确定VCO的振荡幅度不会降低自己的器件寿命？

kanon0530 · 发表于 2020-8-3 13:54:19

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目前做的VCO，就是一对负阻接法的交叉nmos源极直接接地。受PDK使用方式的限制，没法加尾电流源；VCO的振荡幅度就是nmos加到足以抵消LC TANK中的正阻抗影响后，自然形成的。而且LC TANK接到AVDD，也就是VCO的输出振荡dc点就是AVDD，那VCO的输出就是一个会超过AVDD接近1倍的振荡电平。这个电平会加到VCO core自己的交叉nmos栅极上，还会加到VCO的输出buffer的nmos栅极上。所以我们怎么来确定较大的振荡幅度，不会缩减这四个nmos的寿命呢？PDK也没有给任何跟life time有关的模型。

谢谢！

kanon0530 · 发表于 2020-8-4 08:36:43

来自顶一下……

行三米 · 发表于 2020-8-4 11:05:09

不是挑刺，你这个问题本身问题太大，不严谨。
1. 证有不证无。我们证明不了一件事情不会发生。因为你的观测时间不可能无限。
2. 任何电路在使用或者不使用时都会损耗，只是量的问题。
3. 一般而言涉及芯片可靠性的问腿都不是仿真，大多数是做实验。比如压力、温度、老化。以此判断其在性能接受范围内的寿命。

nanke · 发表于 2020-8-4 13:25:39

同意楼上。
1、可考虑限幅电路，或幅度可调电路。
2、工艺厂不给lifetime参数，就只能自己做老化实验测了。

kanon0530 · 发表于 2020-8-4 14:29:30

谢谢！
请问这个老化试验，有什么基础教材，可以介绍一下试验方法吗？
还是单纯的用一个较大的电压加上，来看芯片什么时候坏掉或者关心的指标出现明显下降？

kanon0530 · 发表于 2020-8-4 17:39:11

搜了点儿跟VCO 寿命有关的文献，目前我看到有 CVS 测试方法、RVS 测试方法，用stress-measure-stress-measure-。。。这种流程来测试较高电压后恢复的性能，得到参数的变化值跟加上去的电压，stress时间相关的一个拟合曲线。

但不太清楚是否这两种测试方法算是比较常见的。也不太懂怎样从得到的拟合参数去反推正常工作电压下的lifetime。

acging · 发表于 2020-8-5 10:06:50

Lifetime测试在公司量产前一般是必须做的，一种方法是若干芯片高温满功率跑7天以上，然后再测是不是有损坏。
如果学校科研发论文的，看看有没有明显breakdown问题就可以了吧，毕竟lifetime需要比较多的人力物力。
所以楼主到底是担心breakdown还是老化。。。

kanon0530 · 发表于 2020-8-5 15:58:47

acging 发表于 2020-8-5 10:06
Lifetime测试在公司量产前一般是必须做的，一种方法是若干芯片高温满功率跑7天以上，然后再测是不是有损坏 ...

公司吧，虽然没有产品压力。但还是希望最终实现的是一个能用的东西的。

肥鸡跳墙 · 发表于 2023-4-26 20:35:41

期待更新的大佬解答

standli · 发表于 2023-5-3 22:16:38

PDK也没有给任何跟life time有关的模型。
？？？？？？？

你确定没给吗？我看过几个pdk都会给的，最差会给你一个测试的life time的结果。
至于原理，可靠性的原理需要你自己学习一下，大致EM NBTI PBTI HCI是主要的，还有一些犄角旮旯的失效原理一般fabless不太在乎，也看不到。
你应当询问foundry索要这部分。好一点的大厂不但有life time的模型，还有可以供给仿真器仿真的模型。

方向搞错了哦~
别重复造轮子

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