如何用gm/Id的方法为cascode级设置偏置电压？

cc95228

如图，左边的支路产生了cascode级中Vb2的偏置电压。
可以通过gm/Id vs I/W的表格到Mb2的尺寸，控制该支路的电流。
但gm/Id vs. I/W,gmro,fT 这三个表里面均没有牵扯到Vds的部分，那么可不可以利用gm/Ib的方法，得到Mb4与Mb6的尺寸，进而产生合适的Vb2（或至少控制Vb2的大小）？

wjx197733

我对这个问题也挺疑惑，期待大家指点迷津

IC小白龙

我也有这种疑惑，尤其低压设计中，控制不了Vb,导致mos不在饱和区。

cc95228

两年前的问题，自己回答一下吧，抛砖引玉。
gm/ID设计方法学不能直接设置Vb电压的，但可以提供一些约束条件。
以下方的NMOS为例，通常情况下vdsat+margin<VDS,min。
Vb3电压下界主要限制的是M4的VDS，通过查找表可以近似得到M4的vdsat和M6的VGS。这样就相当于构建了一个Vb3、gm/ID6、gm/ID4之间的不等式约束。
Vb3的上界约束主要针对M5的vdsat，也同理可以建立相关的不等式约束。
需要额外指出的是，由于衬偏效应，查找表最后的值也可能存在着一定的偏差。

tyth

想问问题主如图所示的这个偏置电路来自什么资料呢，最近跟着b站某视频也搭了和上图一样的偏置电路，按视频的思路设计、调节管子宽长，最后仿真出来ok。但是还不大理解Mb4、Mb6还有Mb12、Mb15那部分

cc95228

   

tyth 发表于 2023-2-23 18:26
想问问题主如图所示的这个偏置电路来自什么资料呢，最近跟着b站某视频也搭了和上图一样的偏置电路，按视频 ...

本质上和一个晶体管的一样的，两个方便用更小的面积做到更高VGS。
因为如果用一个晶体管，这个偏置点经常会做到倒比，L比较小的时候提高L很容易提高VGS，L比较大的时候再增加L对VGS的影响是有限的，最后用了很多的面积没有拿到足够的VGS。

tyth

   

cc95228 发表于 2023-3-4 21:19
本质上和一个晶体管的一样的，两个方便用更小的面积做到更高VGS。
因为如果用一个晶体管，这个偏置点经常 ...

好的！感谢！！！！

goldenkiss

   

tyth 发表于 2023-2-23 18:26
想问问题主如图所示的这个偏置电路来自什么资料呢，最近跟着b站某视频也搭了和上图一样的偏置电路，按视频 ...

请问是B站的哪个视频啊，有链接吗，想学习一下，谢谢！

IC小透明

   

tyth 发表于 2023-2-23 18:26
想问问题主如图所示的这个偏置电路来自什么资料呢，最近跟着b站某视频也搭了和上图一样的偏置电路，按视频 ...

可以推荐一下视频吗  最近也在做  谢谢

tyth

   

IC小透明 发表于 2023-4-20 11:38
可以推荐一下视频吗  最近也在做  谢谢

好像是这个：基于gm/Id的运算放大器设计方法_哔哩哔哩_bilibili https://www.bilibili.com/video/B ... f56bdc7bc58763faa43