对于bipolar器件怎么样仿真特征频率

林佳辉 · 发表于 2020-6-16 08:48:10

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bipolar器件怎么样仿真特征频率,现在做tia ,有没有类似于mos管仿真的教程

bellona · 发表于 2020-6-16 10:54:18

把管子偏置好，基极接Isin，AC设为1，看集电极电流AC mag=1的点

林佳辉 · 发表于 2020-6-16 15:02:30

bellona 发表于 2020-6-16 10:54
把管子偏置好，基极接Isin，AC设为1，看集电极电流AC mag=1的点

请问一下大佬能不能像cmos那样通过公式计算的呢

bellona · 发表于 2020-6-16 18:10:44

本帖最后由 bellona 于 2020-6-16 19:39 编辑

ft≈gm/(2*pi*(Cbe+Cbc))
HiCum模型里：
Cbe=Cpii+Cpix=Cdei+Cjei+Cpix，Cpii是BE结本征电容，Cpix是版图寄生电容，Cdei是扩散电容，Cjei是势垒电容。
BE结少数载流子电荷Qe=Ic*tf。Ic是集电极电流，tf是载流子在BE结的扩散时间，Cdei=ΔQe/ΔVbe=gm*tf
管子偏置在接近最大ft时Cdei最大，Cbe≈Cdei=gm*tf，ft≈1/(2*pi*tf)