宏旺半导体分析相比于UFS 3.0，存储芯片UFS 3.1加入哪些新特性？

ICMAX宏旺半导体

自5G手机开始逐步上市以后，UFS 3.0逐渐被旗舰智能手机机采用。甚至到了如今，已经有手机配备UFS 3.1存储。UFS 3.1是在UFS 3.0的基础上进一步带来了性能、功耗、成本等方面的进一步优化。那么，相比于UFS 3.0，UFS 3.1主要有哪些方面的变化？

首先是写入增强器(Write Turbo)。从字面意思就能理解，就是提升UFS的顺序写入速度，写入增强器的特性会将UFS 3.0原本最高为500MB/s的顺序写入提升至700MB/s。Write Turbo原理本质是UFS 3.1闪存内部有一块高速缓存区，工作的时候以较高的速度去接收文件，等到闪存写入工作不繁重的时候再将写入的文件从缓存区转到普通闪存区。

其次是深度睡眠(Deep Sleep)，宏旺半导体了解到，深度睡眠是让在UFS 3.0基础上对于功耗的优化。旨在让闪存在空闲的时间段进入低功耗睡眠状态，确保闪存在睡眠状态下降低功耗，这种模式相较于UFS 3.0的hibernate模式能够有更好的功耗控制。

然后是性能限制通知(Performance Throttling Notification)则是因为某些情况导致存储性能受到影响时，及时通知主机有关性能限制的信息，特别会在设备过热时通知系统限制读写性能以降低闪存温度。简而言之，这是在闪存中加入了根据外部环境实时反馈的控制中心。

除了写入增强器、深度睡眠和性能限制通知。除了以上三大特性外，还有主机性能提升器也是值得关注的点。主机性能提升器（Host Performance Booster）也是UFS 3.1非常重要的提升点。这项功能旨在长久性解决手机越用越卡的问题。手机越用越卡的核心原因是长时间频繁使用闪存导致闪存硬件性能下滑，反应的最后结果是闪存读写性能下滑。而HPB则是利用手机RAM来缓解闪存的硬件压力，提升性能，解决闪存长时间时候后性能衰减的问题，解决手机越用越卡的问题。

对此，宏旺半导体举个简单的例子，在读取4K高清影片时，UFS3.1所需时间更短，加载所需要的时间不到eMMC5.1的1/3，相应在体验游戏时，UFS3.1的手机延迟更低，画面更流畅，让我们的手机在应对更多场景时不会卡顿。

尽管UFS 3.0、UFS 3.1大受追捧，但是目前，智能手机所采用的存储主要为单通道UFS 2.1、双通道UFS 2.1。其中，单通道UFS 2.1读取速度约500MB/s，双通道UFS 2.1读取速度可以达到800MB/s以上。而2018年发布的UFS 3.0标准其读取速度可达1500MB/s，是双通道UFS 2.1的两倍，可以为手机提供更快速读写效率，提升程序启动、加载的使用体验。　

宏旺半导体推出的UFS采用串行数据传输技术，以及全双工运行模式，同一条通道允许读写传输，而且读写能够同时进行，而带宽已达1.5GB/s以上，传输效率得到了有效提高，具有较高的兼容性和稳定性。与此同时，宏旺半导体加强与上下游企业的合作，加大出货量，保证UFS、eMMC等存储芯片的供给。