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如图所示,带隙的核心电路结构如如图右侧,vn,vp是运放的两个输入,电阻由上到下分别设为R3,R2,R1(R2很小,可忽略),图左为失调仿真结果图;vinoff是vp与vn两个输入之间所加的失调电压(在运放vp端添加输入失调电压),VREF是带隙输出;
问题说明:当vp与vn之间的失调电压由0增大到-0.5mV时,发现Vp,与vn电压也在随之增大,且变化比例约是10倍的输入失调电压,vp与vn的差值与输入失调变化一致;此时VREF却变化了接近90mv;这里的R3/R1=5.....这里不明白两点:
1)为什么vp与vn的输入失调增大后,vp和vn的电压也在增大,且是按一定倍数增大?这个倍数源自哪里?
2)VREF电压的变化值为什么这么高?怎么得来的?为什么不是按照vos(1+2R3/R1)的变化?
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