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“新基建”是近期热词之一。在以5G、物联网、工业互联网等为代表的新基建主要领域中，第三代半导体均可发挥重要作用。在近日发布的《第三代半导体产业技术发展报告（2019年）》中预测，2024年我国第三代半导体电力电子器件应用市场规模将近200亿元，未来5年复合增长率超过40%。
宽禁带半导体材料又称为第三代半导体材料，是指禁带宽度在2.3eV（电子伏特）及以上的半导体材料（而硅的禁带宽度为1.12eV），其中较为典型的和成熟的包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等，具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能，是支撑新一代移动通信、新能源汽车、高速轨道列车、能源互联网等产业自主创新发展和转型升级的重点核心材料和电子元器件。
每一次半导体材料的突破带来的是一系列技术变革，也使尖端的新型器件研发面世成为可能。新应用标准、新材料特性、新设计和测试方式、新生产工艺流程、新半导体流片技术对测试设备和技术都带来了持续的挑战。泰克作为专业的测试平台，从测试的角度，精心整理出了这17份第三代半导体材料概述及其测试方案，并切分出六大类测试流程。深度剖析并解决半导体从设计到生产过程中带来的一系列新问题。
电子书部分内容截图：
成功下载资料者将获得300信元
为进一步帮忙您理解新一代半导体材料的特性和实际应用，及其测试痛点，自2020年4~9月，泰克开设了一系列的“半导体材料与器件科学云讲堂”，课堂详细排期，可参阅下方的海报。欢迎扫描二维码预约直播，更有机会获得星巴克咖啡券。
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发表于 2020-4-23 12:11:50
