一个关于program charge trap transistor (CTT) 的问题

mystrip · 发表于 2020-4-21 09:49:15

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看到有文章里提到（比如这篇https://ieeexplore.ieee.org/document/8418745: An Analog Neural Network Computing Engine Using CMOS-Compatible Charge-Trap-Transistor (CTT))，他们用tsmc 28nm cmos hpm 工艺可以编程CTT管子的VT。但反编程(de-trapping)时需在门极加一负1.3V的脉冲信号（此时ｓ、ｄ、ｂ都是０Ｖ）。我想问这个tsmc 28nm cmos hpm 工艺是不是SOI工艺（其网站没查到）？如果平常bulk cmos工艺，这负1.3V电压如何产生与驱动？
谢谢！

mystrip · 发表于 2020-4-22 11:12:55

没人熟悉或用过吗？

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