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[求助] PMOS管的导通电阻

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发表于 2019-12-13 11:20:04 | 显示全部楼层 |阅读模式

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求教,NMOS管的导通电阻,是不是只有在饱和区才是一个固定不动的值,且数值较大?其他的时候,是不是受Id电流的影响,值会变?
想用NMOS做一个选择不同电阻值的开关
发表于 2019-12-13 11:36:11 | 显示全部楼层
最基本的欧姆定理,源漏两端电压除以源漏电流,就是MOS管特性曲线Vds~Ids的斜率(导数)。实际上饱和区Ids也不完全是水平的曲线,有类似三极管Early效应
 楼主| 发表于 2019-12-13 15:15:37 | 显示全部楼层


RFstudent 发表于 2019-12-13 11:36
最基本的欧姆定理,源漏两端电压除以源漏电流,就是MOS管特性曲线Vds~Ids的斜率(导数)。实际上饱和区Ids ...


谢谢,还想请教一下,电流镜能不能不是整数倍的比例?

发表于 2019-12-14 19:27:41 | 显示全部楼层
可以实现非整数的比例啊,比如3:7,一个为3个单元,一个为7个单元即可。假如最初生成的基准电流为1个单元,可以先转换一次,比如1:3,然后再以这个生成的3个单元为基准,另一个做成7个单元的基准,这样就是3:7了。
发表于 2019-12-14 19:37:39 | 显示全部楼层


TiamoSYF 发表于 2019-12-13 15:15
谢谢,还想请教一下,电流镜能不能不是整数倍的比例?


上面举的例子3/7,分子、分母还是整数。若是要实现2.7329...这样比例的电流镜,那只能近似了,看近似到多少,若近似到小数点1位,比如2.7:1,那么可以放大10倍,变成27:10。若是要近似到2.73:1,那么可以放大百倍,273:100。当然,这都是理论上,实际做版图,还要看有没有这么多空间。
若对镜像电流的要求不是那么高,可以直接用2个管子实现W2:W1=2.7:1

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