深N阱工艺求助

Nudlex · 发表于 2019-12-30 16:26:47

这是什么工艺？才会有DNW里会有PWELL

一名IC初学者 · 发表于 2020-10-21 11:14:11

学习中

AIIR · 发表于 2020-10-22 17:29:02

DNW和B端不是一个点位。。。你的剖面图是不是少了B端P+注入

Xiongxingshiwo · 发表于 2021-6-18 18:11:05

围一圈nwell接高电平，pwell肯定接比最高电平低的电平，不会发生pn结导通

fdy · 发表于 2021-11-12 09:22:40

一般B都是再引出来接GND的

smile1215 · 发表于 2021-11-29 16:58:28

学习了

im2058 · 发表于 2022-1-4 20:42:46

学习了

hlittlej94 · 发表于 2023-3-14 10:22:08

器件物理中，deep n-well不就是为了做好隔离（防止器件之间的干扰-噪声）和处理阈值电压（体效应），两种的话一般不是吧B和S相连，也就不会出现B是很高电压的状况，N阱接VDD就可以，防止深N阱和里面的P阱穿通。

vannylee · 发表于 2023-8-1 18:12:07

hlittlej94 发表于 2023-3-14 10:22
器件物理中，deep n-well不就是为了做好隔离（防止器件之间的干扰-噪声）和处理阈值电压（体效应），两种的 ...

那需要B和S相连呢？这个N-well电位该怎么接

JY_1011 · 发表于 2025-3-25 09:31:40

yanpflove 发表于 2019-12-12 18:28
是的，所以正常使用时，你不应该给这个NMOS的B接高电平。
（说的不准确，应该是这个B可以接高于衬底的电位 ...

PW的电位等于S端电位，小于D端电位可以吗

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