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查看: 2221|回复: 9

[求助] 请教各位,关于匹配问题的取舍

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发表于 2019-11-12 17:27:19 | 显示全部楼层 |阅读模式

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各位大牛小牛,以下是我一位应我同事要求设计的匹配电阻。
描述:这是一串电阻链,中间部分是有用部分,红色线条框出的部分是用于做Dummy的电阻。两排的左右也添加了dummy,较为常见,所以我没有圈出来。

目前的情况:目前这个模块的面积相当紧张,这两个红色圈出的dummy的添加严重的浪费了面积。

我的态度和依据:我认为这两块dummy并没有重要到可以要面积为它做出让步的地步,尤其是这些DUMMY有可能会影响到芯片的整体面积。我的理由是在工艺端的主要影响应该是在SAB制作时的SAB横向边缘的不规则变化,所以我觉得只要左右添加dummy就可以了。

同事的态度和依据:同事认为电阻在刻蚀时看到上部和下部的氧化层不一样,例如第一行电阻,他离第二行的电阻近,所以下面的氧化层窄,上面的没有dummy的话吗,氧化层宽,所以在刻蚀的时候第一行电阻的氧化层刻蚀上下是不一致的,所以需要添加。

我是一个干了几年的小版图 ,只在小公司之间来回辗转,理论也是自己充电,没有接受过系统的理论培训,我的同事是一个非常牛逼的电路,他以前在外企,他说那个公司就这么加dummy。所以我想请教各位大牛,如何取舍的问题,希望能给一些理论依据,拜谢

Inked电阻问题.gif

发表于 2019-11-12 19:49:51 | 显示全部楼层
按电路的要求来
发表于 2019-11-12 22:46:34 | 显示全部楼层
没有十分的必要加那么大的dummy res。建议打两个孔,然后造一个假的dummy cell(去掉识别层,缩小尺寸)。对于匹配电阻,只要环境高度一致就好了。
发表于 2019-11-13 07:35:09 | 显示全部楼层
电阻 dummy  外围要围一圈不是只有 左右  , PROCESS 工艺上过程 旋转 ,  外围要围一圈 ,   但是 DUMMY 可以有个围一圈POLY  ,  比较好就 w窄电阻 , 你这版图上下电阻 L 都已经有缩 ,   

还有是那个工艺 ?  可以抽POSTSIM 吗?  有没MISMATCH MODEL
如果有, 那就上下缩更短, 左右电阻也缩W  抽POSTSIM 跑

电阻应该 HI_R  POLY  不是WELL .  N_Well 电阻问题比较大在POLY 下


发表于 2019-11-13 10:53:51 | 显示全部楼层
你的上面的电阻是最小的么?上面的电阻也要加的原因是保证电阻在各个方向上的匹配,说明这个对这这个电阻的精度要求比较高,可以适当减小DUMMY RES 的阻值
发表于 2019-11-14 18:11:17 | 显示全部楼层
上下要求高的话加点POLY方块就好了,没必要画成电阻
 楼主| 发表于 2019-11-14 20:00:05 | 显示全部楼层


peterlin2010 发表于 2019-11-13 07:35
电阻 dummy  外围要围一圈不是只有 左右  , PROCESS 工艺上过程 旋转 ,  外围要围一圈 ,   但是 DUMMY 可以 ...


十分感谢您的回复,我会用后仿验证的。
在查看了几位的回复之后,我查阅了相关资料,确实是我错了,可能是因为我以前制作的时候这么做从来没有人说不对,也都符合性能的要求,我形成了不好的习惯和认知,会在以后改正,谢谢您的指点。
 楼主| 发表于 2019-11-14 20:01:28 | 显示全部楼层


蚊子咬后 发表于 2019-11-12 22:46
没有十分的必要加那么大的dummy res。建议打两个孔,然后造一个假的dummy cell(去掉识别层,缩小尺寸)。 ...


十分感谢您的回复,我已经了解了我的错误,谢谢指点。
 楼主| 发表于 2019-11-14 20:02:24 | 显示全部楼层


jfxyl 发表于 2019-11-14 18:11
上下要求高的话加点POLY方块就好了,没必要画成电阻


嗯,我看了,也问了一些,只要做成小块即可,谢谢。
 楼主| 发表于 2019-11-14 20:03:47 | 显示全部楼层


jfxyl 发表于 2019-11-14 18:11
上下要求高的话加点POLY方块就好了,没必要画成电阻


收到,其实并不是电路的要求浪费面积,是我自己的设计浪费了面积,感谢你的回复。
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