在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 3561|回复: 4

关于使用Sentaurus TCAD进行总剂量仿真

[复制链接]
发表于 2019-11-9 15:25:38 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
(1)总剂量仿真是需要添加陷阱模型,可是SiO2无法添加,是需要将它的材料变成Si,然后再把对应区域的参数改成SiO2吗?
(2)如果使用上述的模型进行单粒子仿真,那么因为材料变成了Si,所有漏电流肯定比以前的大,这个该如何解决呢?
发表于 2019-11-9 16:02:27 | 显示全部楼层
这个仿真有意义吗?我也想做这方面的工作,想请教一下。

 楼主| 发表于 2019-11-9 16:35:23 | 显示全部楼层


henry9926230 发表于 2019-11-9 16:02
这个仿真有意义吗?我也想做这方面的工作,想请教一下。


不清楚,只知道软件本身无法识别SiO2的陷阱模型,只能这么做,但是感觉和实际肯定有差距的
发表于 2020-7-9 11:24:58 | 显示全部楼层
楼主做过重离子仿真吗?我这边一加重离子模型仿真就不收敛了。想问楼主有遇到过相似问题吗?怎么解决的/
发表于 2021-8-22 15:00:29 | 显示全部楼层
我刚开始学习抗辐照的相关知识,想请教楼主有BJT的电路是如何进行抗辐照加固的?
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-25 04:30 , Processed in 0.017527 second(s), 6 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表