关于使用Sentaurus TCAD进行总剂量仿真

xiaozh · 发表于 2019-11-9 15:25:38

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（1）总剂量仿真是需要添加陷阱模型，可是SiO2无法添加，是需要将它的材料变成Si，然后再把对应区域的参数改成SiO2吗？
（2）如果使用上述的模型进行单粒子仿真，那么因为材料变成了Si，所有漏电流肯定比以前的大，这个该如何解决呢？

henry9926230 · 发表于 2019-11-9 16:02:27

这个仿真有意义吗？我也想做这方面的工作，想请教一下。

xiaozh · 发表于 2019-11-9 16:35:23

henry9926230 发表于 2019-11-9 16:02
这个仿真有意义吗？我也想做这方面的工作，想请教一下。

不清楚，只知道软件本身无法识别SiO2的陷阱模型，只能这么做，但是感觉和实际肯定有差距的

晓春记忆 · 发表于 2020-7-9 11:24:58

楼主做过重离子仿真吗？我这边一加重离子模型仿真就不收敛了。想问楼主有遇到过相似问题吗？怎么解决的/

守候幸福1994 · 发表于 2021-8-22 15:00:29

我刚开始学习抗辐照的相关知识，想请教楼主有BJT的电路是如何进行抗辐照加固的？

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