有关三极管工艺的问题，不明白m和放大倍数的关系

hlhlhlh

1.无论什么工艺三极管的发射极area都是固定的吗？2.叉指式的三极管很多的发射极点，这么多的发射极点对三极管的放大倍数有什么影响？为什么？如下图，这么多的发射极意义何在？

hlhlhlh

请各位大神不吝赐教

andy2000a

平坦类bipolar 看周长(LPNP ), 只有vertical 的才看 w*L= area ,才有机会调 area, Area 大 , 电流可大 ,  你图应该 Vertical  bipolar . 另外 bipolar 跟  rf mos 都是固定 size下抽出 model, 所以, 不能像 cmos自己调 w/l,  bipolar 的model 都固定 area下, 所以一般 5x5,  10x10 , 20x20 都会各有一种 typemodel , 跟cmos 一 个spice model 但 w/l包含很多是不同设计方法.   

Ex.   5x5 m=1  , 如果 vnpn类画正方形可以 5x5 m=4会跟 10x10类似 ,  但是, 除非 bipolar是当开关switch 用 ,

如当模拟放大, 一般会用 m=x  以免特性跑掉 .

叉指式的三极管很多的发射极点

ð    bipolar 看的 emitter的 area.

bandgap 一般用寄生 lpnp 所以一般 m=xx去设计

还有 cmos 工艺 spicemodel 可能  -40~125 度, 以前用过bipolar 都 rule很大 可能 1um  3um  还有些温度 0-85,  低温要特别去要才有 model.  还有 纯bipolar工艺因 rule大, 有些layout会有共享 “tank”, 就多颗bipolar共享, 但要特别小心. 很容易画错变连一起.  还有 layout 有些 channelstop . 去看 the art ofanalog  

hlhlhlh

andy2000a 发表于 2019-10-23 08:36
平坦类bipolar 看周长(LPNP ), 只有vertical 的才看 w*L= area ,才有机会调 area, Area 大 , 电流可大 ,   ...

您好 您的回答很专业 谢谢 但是我还是有一些地方不是很明白 因为我是一个初学者 一些概念还不是很清楚 1.Ex.   5x5 m=1  , 如果 vnpn类画正方形可以 5x5 m=4会跟 10x10类似 ,  但是, 除非 bipolar是当开关switch 用 , 如当模拟放大, 一般会用 m=x  以免特性跑掉 。这里以免性能跑掉，请问具体是怎么跑掉的？2.bandgap 一般用寄生 lpnp 所以一般 m=xx去设计。bandgap是什么？是怎么寄生横向pnp的？3.以前用过bipolar 都 rule很大。这里的rule是什么长度，是ruler还是rule。4.“tank”指的是什么？
不好意思，因为我学识尚浅，所以这些基本的知识还不是很明白，请前辈不吝赐教。谢谢！

捞猴子的月亮

hlhlhlh 发表于 2019-10-23 14:53
您好 您的回答很专业 谢谢 但是我还是有一些地方不是很明白 因为我是一个初学者 一些概念还不是很清楚 1. ...

您好，三年过去了，请问您现在知道bipolar的m参数啥作用了吗？多集电极该如何设计呢？我在中兴13微米的工艺库中就完全没找到这个model

cishengbuyu

andy2000a 发表于 2019-10-23 08:36
平坦类bipolar 看周长(LPNP ), 只有vertical 的才看 w*L= area ,才有机会调 area, Area 大 , 电流可大 ,   ...

请问是过电流能力吗？LPNP看周长而VNPN面积？

哪里可以查阅到相关的公式呢，谢谢楼主

andy2000a

Bipolar  Lpnp平坦是看”周长”,    vertical npn 类 看 area .  如vnpn  5x5 要加大current   用放大w L .

但看周长的bjt (Bipolar ) 就不能  ,  平坦类  看 周长只能用 m=x

纯bjt   process

BiCMOS 就没这 try 过

andy2000a

hlhlhlh 发表于 2019-10-23 14:53
您好 您的回答很专业 谢谢 但是我还是有一些地方不是很明白 因为我是一个初学者 一些概念还不是很清楚 1. ...

您好 您的回答很专业 谢谢 但是我还是有一些地方不是很明白 因为我是一个初学者 一些概念还不是很清楚 1.Ex.   5x5 m=1  , 如果 vnpn类画正方形可以 5x5 m=4会跟 10x10类似 ,  但是, 除非 bipolar是当开关switch 用 , 如当模拟放大, 一般会用 m=x  以免特性跑掉 。
这里以免性能跑掉，请问具体是怎么跑掉的？
  => model not accuracy



2.bandgap 一般用寄生 lpnp 所以一般 m=xx去设计。bandgap是什么？是怎么寄生横向pnp的？
cmos process pnp usually Lpnp type



3.以前用过bipolar 都 rule很大。这里的rule是什么长度，是ruler还是rule。
  => 1um  

4.“tank”指的是什么？

=>

bipolar 设计 可 几个 bjt 放同 well . 叫tank .  某些 tank bias

  这是bipolar 设计layout  跟cmos 完全不同 .  bipolar model 比较差 还有leakage 根本没model .

很久前做bipolar design 都忘光

不好意思，因为我学识尚浅，所以这些基本的知识还不是很明白，请前辈不吝赐教。谢谢