有源区与氧化层（AA与OD）

lbliu · 发表于 2019-8-13 19:13:40

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之前上课使用的工艺库是中芯国际0.18um的工艺，现在再用TSMC 65nm工艺画版图。发现在中芯国际工艺库内有一层叫有源区（Active Area AA），而TSMC的工艺库没有，但有氧化层（Oxide OD）。请问：1. AA和OD这两层是一样的吗？都是在衬底上长一层二氧化硅吗？
2. 如果是这样的话，为什么在Drain和Source也要上一层二氧化硅呢？

gybak · 发表于 2019-8-13 21:26:17

Hi ，您好，是一样的。AA(active area) ,OD(oxide diffusion) ,都是指有源区，只是不同fab的命名不同

maomao198477 · 发表于 2019-8-14 07:30:42

对不起我换了马甲：）

李一丰 · 发表于 2019-8-14 13:43:20

OD不是代表氧化层，而是跟AA一样都代表有源区，各种晶圆厂对层次的命名都不一样。具体可以去看design rule。

ligenhang · 发表于 2019-8-14 13:52:09

你工艺课肯定没好好上

lijie5992373 · 发表于 2019-8-14 14:14:17

1. AA和OD一样，但不是指在Silicon上长氧化层，OD图形是定义出有源区，OD空白的地方会Etch掉，在填充Oxide，做隔离，这个叫STI2. Source和Drain的区域并没有氧化层，后边会把一开始生长在有源区的氧化层（牺牲层）remove掉，这层氧化层是充作Silicon和SIN的中间层，防止SIN与Slicon应力过大导致Silicon Crack. 一般厚度100A.

Taylor0808 · 发表于 2024-3-4 18:25:42

接近，但不是一层

ncash0933 · 发表于 2024-3-5 10:29:02

学习一下

moonlight_star · 发表于 2024-9-30 09:30:20

lijie5992373 发表于 2019-8-14 14:14
1. AA和OD一样，但不是指在Silicon上长氧化层，OD图形是定义出有源区，OD空白的地方会Etch掉，在填充Oxide ...

请问SIN是？

doghead · 发表于 2024-9-30 11:03:39

moonlight_star 发表于 2024-9-30 09:30
请问SIN是？

氮化硅SiN

[求助] 有源区与氧化层（AA与OD）

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