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查看: 6092|回复: 8

[求助] 运放尾电流源处于深线性区的坏处

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发表于 2019-7-30 09:55:09 | 显示全部楼层 |阅读模式
100资产
求助帖
尾电流源阻抗高可以提高运放CMRR,但对于输入确定的运放,如LDO,还会带来什么坏处呢?其它坏处有电流误差大,带来带宽变化。但即使ss corner电流源 vds<<vdsat,从目前的仿真也看不出太大的影响。

发表于 2019-7-30 10:21:55 | 显示全部楼层
loop gain和带宽都会下降吧?负载变化这种tran的动态仿真都没影响吗?
 楼主| 发表于 2019-7-30 10:44:47 | 显示全部楼层
本帖最后由 nanke 于 2019-7-30 10:56 编辑


acging 发表于 2019-7-30 10:21
loop gain和带宽都会下降吧?负载变化这种tran的动态仿真都没影响吗?


没有,SS -40C  corner相比 TT 40C corner反而表现更好。

尽管SS -40C  corner, vth更大,导致nmos输入EA尾电流源vds<<vdsat,使EA电流只有TT的50%,但由于迁移率提高?导致性能看起来也不比TT差。


图没法贴,贴一下数据。


TT  40C  :  dc loop gain= 66 dB    loop BW= 25.3M   PM=73  
  1mA负载变化带来 800uV/mA, p-p值 7mV
SS  -40C :  dc loop gain= 68 dB    loop BW=26.4M  PM =70     
  1mA负载变化带来550uV/mA, p-p值  9mV

——————————————————————————————————————
抱歉上面数据有误,是我采用了cascode电流镜使EA电流和TT接近的仿真结果

不使用cascode,EA电流只有TT的50%,仿真结果是
loopbandwidth ss -40C为 17.5M  tt 40C为 23.8M

 楼主| 发表于 2019-7-30 10:47:05 | 显示全部楼层
除功率管和EA尾电流源外,其余均处于饱和状态 (vds-vdsat>50mV)

准备看看线性区电流镜mismatch
发表于 2019-7-30 11:28:24 | 显示全部楼层
PSRR也有影响的吧
发表于 2019-7-30 17:55:21 | 显示全部楼层
类似于用电阻代替尾电流源了
发表于 2023-9-19 08:57:37 | 显示全部楼层
楼主现在有答案了吗?我也遇到这个问题了
发表于 2023-9-19 09:39:12 | 显示全部楼层
SS 125℃试过了么?尾电流源处于深线性区,在高温下,或者一些极端的MC下,可能导致电流不足,工作点偏差很大,进而影响注入SR和THD这些性能。不过如果是LDO的话,输入没有很大摆幅,应该影响不大,但是PSRR就不好了。
发表于 2023-9-25 14:51:48 | 显示全部楼层
lz 我在0.9V的 vdd下也常用线性区的尾电流,确实仿真没发现啥问题。
不过仔细想来,vss的psr会变差,如果对noise很敏感的电路,还是不能用。psr的影响,在大型电路系统中不太好测试。
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