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查看: 1909|回复: 6

[求助] 关于在设计中对于工艺库参数的如何考虑的问题?

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发表于 2019-7-15 09:56:47 | 显示全部楼层 |阅读模式

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      最近在设计电路中遇到一些问题,很是疑惑。对于5V电源电压,采用5V耐压的MOS管搭建与非门,当下管一个打开(靠近输出),一个关断(靠近gnd)的情况下,靠近输出的下管的源端电压接近5V,但是其衬底接地,这样的话VBS接近于5V,而工艺库要求|VBS|<2V,这种情况怎么考虑?由此延伸对于工艺库的一些参数我们在设计的时候该怎么考虑?希望各位老师不吝赐教

发表于 2019-7-15 10:15:49 | 显示全部楼层
你去看一下工艺库要求|VBS|<2V的工作条件是什么?
你说的情况,NMOS关闭之后,其实导通电阻很大的,不会影响
如果非要说有问题,你可以选择把上面的NMOS,body source short
 楼主| 发表于 2019-7-15 11:49:36 | 显示全部楼层


demon0821 发表于 2019-7-15 10:15
你去看一下工艺库要求|VBS|


首先,非常感谢你的回答!
     这个工艺库中只有写|VBS|<=2V,并没有提具体条件。如果衬源接一起的话就需要使用带阱隔离的MOS管了,但是我看在用这个库设计的实际工程中的一些电路中,即使VBS=4V,远大于工艺库的限定值,也是将BODY接地的

发表于 2019-7-15 13:27:59 | 显示全部楼层
一般vbs的耐压会比vds vgs这种更高啊,而且为啥5V器件局部耐压却到不了5V啊?
 楼主| 发表于 2019-7-15 14:47:57 | 显示全部楼层


acging 发表于 2019-7-15 13:27
一般vbs的耐压会比vds vgs这种更高啊,而且为啥5V器件局部耐压却到不了5V啊? ...


工艺库文件写的啊,我也不清楚,我很疑惑在实际电路设计中,这些参数该怎么参考?
发表于 2019-7-15 16:02:35 | 显示全部楼层


矮纸斜行 发表于 2019-7-15 14:47
工艺库文件写的啊,我也不清楚,我很疑惑在实际电路设计中,这些参数该怎么参考?
...


什么工艺这么奇怪,实在不放心最好问工艺厂。

另外,请仔细阅读工艺厂提供的所有文件。比如我看到的工艺,3.3V器件会有VBS=-3.3V的特性曲线扫描。
 楼主| 发表于 2019-7-16 10:06:09 | 显示全部楼层


nanke 发表于 2019-7-15 16:02
什么工艺这么奇怪,实在不放心最好问工艺厂。

另外,请仔细阅读工艺厂提供的所有文件。比如我看到的工艺 ...


好的,谢谢!
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