关于在设计中对于工艺库参数的如何考虑的问题？

矮纸斜行

      最近在设计电路中遇到一些问题，很是疑惑。对于5V电源电压，采用5V耐压的MOS管搭建与非门，当下管一个打开（靠近输出），一个关断（靠近gnd）的情况下，靠近输出的下管的源端电压接近5V，但是其衬底接地，这样的话VBS接近于5V，而工艺库要求|VBS|<2V,这种情况怎么考虑？由此延伸对于工艺库的一些参数我们在设计的时候该怎么考虑？希望各位老师不吝赐教

demon0821

你去看一下工艺库要求|VBS|<2V的工作条件是什么？
你说的情况，NMOS关闭之后，其实导通电阻很大的，不会影响
如果非要说有问题，你可以选择把上面的NMOS，body source short

矮纸斜行

   

demon0821 发表于 2019-7-15 10:15
你去看一下工艺库要求|VBS|

首先，非常感谢你的回答！
     这个工艺库中只有写|VBS|<=2V,并没有提具体条件。如果衬源接一起的话就需要使用带阱隔离的MOS管了，但是我看在用这个库设计的实际工程中的一些电路中，即使VBS=4V，远大于工艺库的限定值，也是将BODY接地的

acging

一般vbs的耐压会比vds vgs这种更高啊，而且为啥5V器件局部耐压却到不了5V啊？

矮纸斜行

   

acging 发表于 2019-7-15 13:27
一般vbs的耐压会比vds vgs这种更高啊，而且为啥5V器件局部耐压却到不了5V啊？ ...

工艺库文件写的啊，我也不清楚，我很疑惑在实际电路设计中，这些参数该怎么参考？

nanke

   

矮纸斜行 发表于 2019-7-15 14:47
工艺库文件写的啊，我也不清楚，我很疑惑在实际电路设计中，这些参数该怎么参考？
...

什么工艺这么奇怪，实在不放心最好问工艺厂。

另外，请仔细阅读工艺厂提供的所有文件。比如我看到的工艺，3.3V器件会有VBS=-3.3V的特性曲线扫描。

矮纸斜行

   

nanke 发表于 2019-7-15 16:02
什么工艺这么奇怪，实在不放心最好问工艺厂。

另外，请仔细阅读工艺厂提供的所有文件。比如我看到的工艺 ...

好的，谢谢！