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查看: 2237|回复: 4

[求助] 低压MOS的VGS耐压值

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发表于 2019-6-21 16:43:45 | 显示全部楼层 |阅读模式

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TSMC工艺厂给出的低压管的VGS耐压是5V,这个耐压值可不可以更高?还有就是如果有个高于5V的脉冲加在gate上会不会损坏??
发表于 2019-6-24 17:35:55 | 显示全部楼层
我也是新手,不过我知道5V就是5v 不可以更高,看的是Vgs,所以不能只看gate点
发表于 2019-6-24 18:14:15 | 显示全部楼层
TSMC工艺厂给出的低压管的VGS耐压是5V,这个耐压值可不可以更高?还有就是如果有个高于5V的脉冲加在gate上会不会损坏

=>  高于5V的脉冲加在gate上会不会损坏  

==>  会  




5V 如果能耐更高压  就直接标 6v 7v .. ? 5v 超过用 就是何时出问题不知道 ,以前用过VIS 40V mos, 因为PWM 电路 spike ..偶尔几根 spike  IC多測幾次就燒 , 示波器发现很多 cycle spike 44~46v ..电压调低   IC就没烧掉


发表于 2019-6-25 08:58:11 | 显示全部楼层
标值5V就最好在5V以下使用,你需要栅极高压的话 就问问有没有支持栅极高压的工艺。
 楼主| 发表于 2019-6-25 14:55:33 | 显示全部楼层


ywic 发表于 2019-6-25 08:58
标值5V就最好在5V以下使用,你需要栅极高压的话 就问问有没有支持栅极高压的工艺。 ...


谢谢!!
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