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查看: 1622|回复: 4

[讨论] 小尺寸mos容易被损坏的原因

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发表于 2019-6-14 17:29:19 | 显示全部楼层 |阅读模式

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  请教各位大牛!
   如题低节点工艺的小尺寸mos,比如l,w都取最小值,为什么容易被击穿!有大牛碰到过吗!求指教!
发表于 2019-6-14 19:03:50 | 显示全部楼层
V=Q/C
 楼主| 发表于 2019-6-15 14:37:43 | 显示全部楼层


   一堆被保护的管子子,只有最小的管子坏了,您您能说的具体一点吗,clamp在同样的电压下,小的坏了!
 楼主| 发表于 2019-6-15 14:43:38 | 显示全部楼层
特别强调一下,是w最小的管子,如果是删上那点寄生电容的不同,我觉得用V=q/c有点牵强,望大牛们指点
发表于 2019-6-17 11:33:48 | 显示全部楼层


hhlunar 发表于 2019-6-15 14:43
特别强调一下,是w最小的管子,如果是删上那点寄生电容的不同,我觉得用V=q/c有点牵强,望大牛们指点 ...


W太小的话相同电气环境下,ro会比较大,发热会比较严重。
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