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查看: 2840|回复: 9

[求助] 请问多阈值的版图怎么画?就是一个电路图中包含常规阈值、高阈值和低阈值的管子

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发表于 2019-5-8 10:45:17 | 显示全部楼层 |阅读模式

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多阈值电路的版图面积会增加吗?
发表于 2019-5-8 12:22:13 | 显示全部楼层
您好,
这要看具体工艺,是通过什么方式什么层次实现多个阈值的,不同的实现层次对版图面积的影响是不一样的。
比如:
通过阈值注入的话,针对有源区,对面积影响不大;
通过不同的阱来调节,阱的间距会大一些,对面积的影响可能会更大一些;
……
发表于 2019-5-8 13:52:49 | 显示全部楼层
如果高 低压那类, 是不同 oxide 方式.. rule.
如果说都低压  , 包含常规阈值、高阈值和低阈值的管子 , 那不太可能  ,
不同 Vth. 一般都  选一种 .
除非  FAB 能.  会用 mask分开做,

但有些特殊 shuttlebus  MPW , 会一片WAFER ,    CMOS   BCD  UHV 都可.  但, 会分开曝, 分开不同 wafer .   

 楼主| 发表于 2019-5-8 15:11:58 | 显示全部楼层


yanpflove 发表于 2019-5-8 12:22
您好,
这要看具体工艺,是通过什么方式什么层次实现多个阈值的,不同的实现层次对版图面积的影响是不一样 ...


您好,谢谢你的回答!我现在设计的是一个低压SRAM,工作在亚阈值或近阈值附近,工艺是40nm或者65nm,涉及到版图的绘制,这种情况需要怎么画呢?
 楼主| 发表于 2019-5-8 15:15:46 | 显示全部楼层


andy2000a 发表于 2019-5-8 13:52
如果高 低压那类, 是不同 oxide 方式..照 rule. 如果说都低压  , 包含常规阈值、高阈值和低阈值的管子 , 那 ...


您好,谢谢你的回答!我现在设计的是一个低压SRAM,工作在亚阈值或近阈值附近,工艺是40nm或者65nm,涉及到版图的绘制,之前阅读过的相关设计的论文,也有多阈值的设计,里面的版图看起来与普通的版图没有区别,但是我不知道是否真的按照常规的版图规则来画呢,还是要怎么画?
发表于 2019-5-8 15:54:52 | 显示全部楼层


清卿子衿 发表于 2019-5-8 15:15
您好,谢谢你的回答!我现在设计的是一个低压SRAM,工作在亚阈值或近阈值附近,工艺是40nm或者65nm,涉及 ...


工作在亚阈值附近是电路设计的内容,和你版图怎么画没关系。
发表于 2019-5-8 19:42:11 | 显示全部楼层
本帖最后由 yanpflove 于 2019-5-8 19:44 编辑


清卿子衿 发表于 2019-5-8 15:11
您好,谢谢你的回答!我现在设计的是一个低压SRAM,工作在亚阈值或近阈值附近,工艺是40nm或者65nm,涉及 ...


您好,
请阅读工艺的设计手册,了解工艺规则,了解器件和电学特性,进行工艺特性评估和成本评估……
重点搞清楚不同阈值的器件之间的差别。
 楼主| 发表于 2019-5-9 09:31:52 | 显示全部楼层


yanpflove 发表于 2019-5-8 19:42
您好,
请阅读工艺的设计手册,了解工艺规则,了解器件和电学特性,进行工艺特性评估和成本评估……
重点 ...


好的,谢谢您的回答!
发表于 2019-5-9 12:49:32 | 显示全部楼层
SRAM  用来 pull_up   跟一般MOS好像不同 .

发表于 2019-5-10 09:08:02 | 显示全部楼层
学习了
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