在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 1499|回复: 5

[求助] 28nm以下的工艺相比于大尺寸工艺有哪些需要注意的地方

[复制链接]
发表于 2019-5-8 09:02:04 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
本帖最后由 feng1389111 于 2019-5-9 14:18 编辑

28nm以下的工艺相比于大尺寸工艺有哪些需要注意的地方
发表于 2019-5-9 14:11:35 | 显示全部楼层
不是一样的就应该接一起嘛?
发表于 2019-5-9 16:39:14 | 显示全部楼层
看前面有人说过20nm以下的问题:
1. DPT
2. LVT,HVT的cell摆放时不能单独摆放,周围要有几个相同阈值的cell
发表于 2019-5-27 09:37:37 | 显示全部楼层
参考fab给的reference flow
发表于 2019-5-27 13:35:57 | 显示全部楼层
poly方向固定,core不能随便旋转
发表于 2019-6-11 23:39:33 | 显示全部楼层
塞 FAB TCD CELL
單獨推力放的buffer 左右要塞Filler Welltap
可以的話 用APR TOOL 塞metal density  28nm以下 影響大
chip poly方向固定
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-22 09:58 , Processed in 0.360708 second(s), 7 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表