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[求助] 以三极管为代表的双向ESD器件的设计讨论

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发表于 2019-5-6 20:38:26 | 显示全部楼层 |阅读模式

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  关于ESD产品的设计,SCR结构可以在保证IPP的前提下,降低钳位电压和电容的优点,已成ESD产品的主流结构,其设计的资料,在论坛中已成公开,但在市场使用中,双向ESD产品还是有其需求空间,本文就以三极管为代表的双向ESD产品的设计原理展开讨论,希望各界大佬帮忙指正.
  产品的目标参数为:IPP 7A,电容15PF,ESD能力 Air模式下15KV,BVceo和BVeco均设计到7V左右。
      其设计难点主要在于双向耐压做到一致,由于BVceo=BVcbo/√(1+β),BVeco=BVebo√(1+β),故只有当β等于0时,在不动基区的前提下,可通过调节EC两极的浓度从而调节BVcbo和BVebo,当BVcbo等于BVebo时,BVceo等于BVeco。如何有效的降低三极管的放大倍数,就是一个需要研究的问题。
  从三极管的放大倍数的理论指导分析,降低三极管的放大倍数,就需要增加基区浓度,为了保证足够的击穿电压,以及足够低的反向漏电流,发射区和集电区浓度又需要比基区浓度高两个数量级,故导致工艺能力达到极限,以及器件结构的发射区陷落效应和俄歇复合都变得不可控制。
  关于如何避免这个难点,暂无相关的资料,希望能技术大牛的指导。
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