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[原创] 驱动下管的隔离环电位接最高点位,接地,接自身的drain三者有什么优缺点

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发表于 2019-5-5 18:48:22 | 显示全部楼层 |阅读模式

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驱动下管的隔离环电位接最高点位,接地,接自身的drain三者有什么优缺点?有大神的详细的资料介绍么?????????
发表于 2019-5-5 20:42:14 | 显示全部楼层
N管接VDD就漏电了兄弟 做高压接LOCAL 一般接地就可
 楼主| 发表于 2019-5-6 07:57:19 | 显示全部楼层


啊则 发表于 2019-5-5 20:42
N管接VDD就漏电了兄弟 做高压接LOCAL 一般接地就可


驱动下关用的LDMOS,隔离环NBL接VDD为什么会漏电呢?求解惑!
发表于 2019-5-6 08:47:49 | 显示全部楼层
一般会包几层pnpn, P环接gnd,N环接vdd
 楼主| 发表于 2019-5-6 09:11:13 | 显示全部楼层


acging 发表于 2019-5-6 08:47
一般会包几层pnpn, P环接gnd,N环接vdd


嗯嗯常规是这么接的,看过TI,美信的芯片,驱动下关LDNMOS的隔离环NBL是接GND的,就是不知道这样与接VCC有什么好处!!!

ldmos

ldmos
发表于 2019-5-6 11:01:52 | 显示全部楼层
..四层三结的概念
发表于 2021-6-22 18:04:38 | 显示全部楼层
楼主驱动芯片下管LDMOS隔离环接VDD有遇到问题吗?
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