设为首页收藏本站
在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)

手机号码，快捷登录

手机号码，快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
创芯云服务  : 创芯大讲堂  | 创芯人才网 | 数字IC职业培训  EETOP诚邀线上IC培训讲师!
搜帖子
EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子） › Analog Layout（版图） › Layout讨论区 › 求助关于SMIC180nm EEPROM工艺的HVPMOS的DNW问题 ...
返回列表 发新帖
查看: 4318|回复: 7

[求助] 求助关于SMIC180nm EEPROM工艺的HVPMOS的DNW问题

[复制链接]
SuperLYL
发表于 2019-4-21 16:33:49 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看，没有账号？注册

x
小弟我最近用SMIC180nm EEPROM工艺画图，调用HVPMOS后总是出现关于DNW的DRC报错。报错和layout如下。我按照设计规则在DNW外加了一圈PW也没有消除错误。还请各位前辈多多指点。最后我还有一个问题是关于guard ring和衬底的问题，当我调用HVPMOS的时候是自带衬底和guard ring的，那么应该如何处理它们之间的位置关系？

DRC报错

DRC报错

Layout

Layout
回复

举报

SuperLYL
 楼主| 发表于 2019-4-21 17:32:55 | 显示全部楼层
毕设进度就被卡在这里了
EETOP创芯人才网职位发布入口
回复 支持 反对

举报

firewolf223
发表于 2019-4-22 09:38:31 | 显示全部楼层
主要还是几个阱电位的问题，我觉得你没有把device的剖面结构弄懂
回复 支持 反对

举报

Outsider_yis
发表于 2019-4-22 11:02:45 | 显示全部楼层
你把你的N+ guard ring 画成一个环形的就解决了
EETOP创芯人才网职位发布入口
回复 支持 反对

举报

SuperLYL
 楼主| 发表于 2019-4-22 19:06:02 | 显示全部楼层


firewolf223 发表于 2019-4-22 09:38
主要还是几个阱电位的问题，我觉得你没有把device的剖面结构弄懂


谢谢，我再好好看看书
EETOP创芯人才网简历投递入口
回复 支持 反对

举报

SuperLYL
 楼主| 发表于 2019-4-22 19:08:02 | 显示全部楼层


yiweikun 发表于 2019-4-22 11:02
你把你的N+ guard ring 画成一个环形的就解决了


我图中的外环是就是N+guard ring 呀
EETOP创芯人才网职位发布入口
回复 支持 反对

举报

Outsider_yis
发表于 2019-4-23 09:06:21 | 显示全部楼层


SuperLYL 发表于 2019-4-22 19:08
我图中的外环是就是N+guard ring 呀


你是HVPMOS，你PMOS的体电位B应该是N+的吧？那你N+的为啥是最外圈呢？你得把你的电位画成环形的，这个是深N阱工艺
EETOP创芯人才网简历投递入口
回复 支持 反对

举报

SuperLYL
 楼主| 发表于 2019-5-4 10:37:32 | 显示全部楼层


yiweikun 发表于 2019-4-23 09:06
你是HVPMOS，你PMOS的体电位B应该是N+的吧？那你N+的为啥是最外圈呢？你得把你的电位画成环形的，这个是 ...


谢谢前辈，按您说的解决了
EETOP创芯人才网职位发布入口
回复 支持 反对

举报

返回列表 发新帖
高级模式
B Color Image Link Quote Code Smilies
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2025-3-17 17:38 , Processed in 0.027662 second(s), 7 queries , Gzip On, MemCached On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表