快速了解IRF640NPBF

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快速了解IRF640NPBF

描述
      国际整流器公司的第五代产品HEX FE T @ Power MOSFET采用先进的工艺技术，实现了每硅片面积极低的导通率。他的优势在于HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计for，为设计人员提供了极其高效和可靠的设备，可用于各种应用。
      TO-220封装是所有商业工业应用的首选，功耗水平约为50瓦。 TO-220的低热阻和低封装成本有助于其在整个行业中的广泛接受。
      D2Pak是一款表面贴装功率封装，能够容纳高达HEX-4的芯片尺寸。它可在任何现有的表面贴装配件中提供最高的功率和最低的导通电阻。 D2Pak适用于高密度应用，因为它具有较低的内部连接电阻，在典型的表面贴装应用中可以消耗高达2.0W的功率。通孔版本（IRF640NL）可用于小尺寸应用。

特征：
先进的工艺技术
动态dv / dt评级
175C工作温度
快速切换
完全雪崩额定
易于平行
简单的驱动器要求
无铅

特点描述
类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：HEXFET
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：150 毫欧 @ 11A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：18A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：67nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：1160pF @ 25V
功率 - 最大：150W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 (直引线)
包装：管件
供应商设备封装：TO-220AB
其它名称：*IRF640NPBF