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楼主: 不懂也不问

[资料] 提高LDO的PSRR最新paper

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发表于 2024-11-7 20:14:32 | 显示全部楼层

鄙人觉得,NMOS的psr之所以比PMOS的好,根本原因是因为nmos往下看是小信号是ro,而pmos往下看是1/gm,所以来说,对于小信号ac,小信号阻抗1/gm,从VDD更容易穿越到VOUT.所以PSR来说,NMOS绝对是远远>pmos的(前提是pmos不做ac路径抵消的操作).如果想进一步提高nmos的psr,则可以在nmos上面再堆叠一个nmos,nmos gate接R+C(>10倍cgg)同时需要保证nmos和下面的power管子有足够的饱和区,这样从VDD往下看过去的阻抗就是gm1ro1ro2,小信号就更不容易过来了,但是DC还是正常的,这样PSRR又可以提高一个量级别。
发表于 2024-11-7 20:21:34 | 显示全部楼层
Many thanks
发表于 2024-11-8 10:49:24 | 显示全部楼层
Thanks!!!
发表于 2024-11-23 16:38:22 | 显示全部楼层
2010年的叫最新????
发表于 2024-11-23 20:53:28 | 显示全部楼层
谢谢分享
发表于 2024-11-25 20:21:37 | 显示全部楼层
不错,看看~!
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