电子和空穴

zjwumei · 发表于 2019-7-19 15:55:37

viviy 发表于 2019-5-14 19:34
这个才是直白的点上！

哥们儿就是讲这个课的，感谢支持

wangwang96 · 发表于 2019-8-26 11:57:12

谢谢补充的相关内容

chdxidian · 发表于 2019-9-12 15:14:34

导电能力理解为电流密度的大小，J=nqunE+pqupE(这个公式低场下用) ，高场下uE 换成速度。所以电流密度取决于1. 载流子的多少，表现为载流子浓度的大小，和掺杂有关。 2. 这些载流子跑多快，跑多快取决于低场取决于迁移率，高场取决于散射机制下的饱和速度。低场下，E*q=m*a 可推导出迁移率u=qt/m, 其中m为电导率有效质量。有效质量越大，迁移率越低，低场下速度越低。如果高场工作，电流密度取决于载流子饱和速度，跟低场迁移率基本无关。一般情况下，空穴饱和速度小于电子饱和速度。

ICER · 发表于 2019-9-12 15:47:16

大家不觉得这个问题本身有问题么？电子和空穴的导电能力or P型半导体和N型半导体的导电能力？

hijackerhaha · 发表于 2019-9-14 19:33:36

你可以这么理解，电子是一个人在无人的空地上自由跑步，空穴相当于一个人在人群中跑步，两者的速度差异就体现出来了

sutaotao2001 · 发表于 2019-10-12 22:11:16

空穴是电子移动后才会产生的相对概念。所以先有电子移动

出来打篮球 · 发表于 2019-10-17 12:57:48

空穴是等效出来的

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