关于tsmc 40nm 中的DPO及DOD 层

flyunicorn · 发表于 2018-11-27 16:53:32

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请问下有没人知道tsmc 40nm 工艺中，DPO及DOD 层（dummy poly和dummy OD)一定要加吗？是人工手动加还是有其它方法.就是用正常的MOS管作dummy可以吗？谢谢了！

zhuruiqin · 发表于 2018-12-10 16:19:31

同问???

ilwork24 · 发表于 2018-12-11 14:40:22

谢谢！！！

fuyibin · 发表于 2018-12-12 07:39:46

dummy poly and dummy od 可以有工具和脚本自动填
正常mos做dummy更好，dummy poly /od不做OPC

大力射门 · 发表于 2018-12-26 22:40:19

dummy poly and dummy od 可以有工具和脚本自动填
正常mos做dummy更好，dummy poly /od不做OPC
fuyibin 发表于 2018-12-12 07:39

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请问如何添加？什么情况下必须要添加？谢谢

Ryeeee · 发表于 2022-7-28 20:24:02

同问

chrisliangh · 发表于 2022-7-29 11:05:03

DPO和DOD一般是用作填充density所使用的的dummy，可以直接通过工具添加，但是比较sensitive的block直接加肯定会有很大影响，需要block住手动去添加

ncash0933 · 发表于 2022-7-29 11:37:22

只要不违反density(MIN or MAX) 就可以
手工添加花时间, sensitive的block可以自行控制加或不加
工具添加比较快,sensitive的block可以用blockage layer避开

xiao布丁 · 发表于 2024-4-29 14:14:02

chrisliangh 发表于 2022-7-29 11:05
DPO和DOD一般是用作填充density所使用的的dummy，可以直接通过工具添加，但是比较sensitive的block直接加肯 ...

你好想用一下怎么通过工具直接添加dummy DOD

David.Z · 发表于 2024-9-27 15:55:18

xiao布丁发表于 2024-4-29 14:14
你好想用一下怎么通过工具直接添加dummy DOD

t工艺会给对应的calibre文件的把，就是个design rule，run一下就会在目录生成对应的gds文件，import一下然后调用会自己的layout就行，不过怎么设置需要参考下对应的doc。

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