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楼主: kobespirit

[求助] 40nm工艺,模拟电路如何进行提参和后仿

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发表于 2019-5-10 09:13:28 | 显示全部楼层
大神呀,学习了
发表于 2019-5-11 11:06:34 | 显示全部楼层
学习了
发表于 2019-8-5 21:26:15 | 显示全部楼层


happy0123 发表于 2018-11-14 09:10
回复 11# 大鼻象零零七

PEX   每次还设置过滤 太小的 R C,spf  照样很大,你那个后仿慢要看你是什么模块 ...


想问一下PEX是怎么过滤较小的RC的
发表于 2021-9-22 11:28:30 | 显示全部楼层


houjs 发表于 2018-10-3 15:47
寄生参数提取如何选择RC, RCC, C模式?
    在寄生参数提取中,需要用到不同的提取模式,例如,只提取电容 ...


niua
发表于 2021-10-18 13:53:35 | 显示全部楼层
很生动!学习了
发表于 2021-10-20 17:13:49 | 显示全部楼层
可以在提取后仿的地方  加一个电阻电容的限制  比如小于多少直接忽略,然后再某个值范围内进行合并
发表于 2021-12-30 14:17:42 | 显示全部楼层
学习了,学习
发表于 2022-3-14 17:08:23 | 显示全部楼层
40nm工艺模拟电路  模拟电路Corner  除  ss tt ff  sf fs 外还吗?
  因为看 soc  digital design  那边还  ssg  
  


STA 有 那些  40 nm 之后flat derate 已不再是一个『经济』的模型,所以引入了更复杂的AOCV (Advanced OCV) 模型 ,
于是进入16nm 之后,一种新的OCV 模型开始被广泛使用,C家称之为SOCV (statistical OCV),
S家称之为POCV (Parametric OCV), 除了名字的差别 背后都是统计学都是正态分布
发表于 2022-8-9 15:09:04 | 显示全部楼层
谢谢
发表于 2022-8-10 15:53:04 | 显示全部楼层
谢谢!
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