怎么给一般的运放作偏置电路？

imefox

一般偏置由两部分组成，一部分产生参考电压或参考电流，第二部分为在这个基础产生偏压的电流镜。

   

原帖由 kooba 于 2007-10-25 12:21 发表

                               
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大家能不能具体说一下在那些书里面见过设计偏置电路的具体方法。

我只在GRAY的书里面见过简单的讲过，拉扎维和Allen的书里面好像没怎么讲过这些。

61angel

看了一些资料，都是用电阻产生偏置，然后做一个电流镜的，可是在cmos工艺中，电阻做不准的啊

mainhand

做基准电压bandgap作为基准电流放大器的输入电压，然后利用基准电流作为偏置

tgaayd

用镜像电流吧

robberxiong

偏置电压一般取Vgs-Vth=0.15~0.2V

ccp106

具体问题具体分析

zaitian80

同意楼上的“具体问题具体分析”

先提问楼主，对于偏置电路的规格是怎么定义的
电源工作范围、温度范围、允许偏差范围
功耗规格
工艺上是否支持unsilicide polysilicon
一般现代工艺多晶电阻的准确度基本可以控制在+/-5%以内，但是如果只能分配假设1uA偏置电流的话，3.3V就需要3M的电阻，面积太大了，也容易受噪声干扰
可以考虑用CMOS兼容的Diode来做bandgap，也可以用弱反型区的MOSFET来做widlar偏置电流源，效果和bandgap理论上一样

suneyeslee

看你的电路具体指标了，一般来讲都是用bandgap作voltage source，因为它非常稳定。但是实际应用的时候往往不这么做，尤其是Low power wirelss applications。因为实际情况下电源电压是有变化和扰动的，所以你需要先做一个peaking current souce去抵抗至少25%的VDD变化，然后用电流镜mirror到所需bias的管子。当然，如果考虑到温度对gm的影响，你还需要加一级PTAT（proportional to absolute tempreture）电流源。我说的这些都是最最基本的，一般的教科书都有，其中Razavi和Gray的两本比较详细，推荐看看。

suneyeslee

   

原帖由 zaitian80 于 2008-7-15 18:12 发表

                               
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同意楼上的“具体问题具体分析”

先提问楼主，对于偏置电路的规格是怎么定义的
电源工作范围、温度范围、允许偏差范围
功耗规格
工艺上是否支持unsilicide polysilicon
一般现代工艺多晶电阻的准确度基本可以 ...

回答得很好。
具体到RFIC(several GHz)的话，电阻就绝对不可用了，精准度，温度系数，噪声（散热），大小……都是问题，如果要求不高的情况，用diode connection的单管CMOS也比电阻强呢。

chrisyl

R.J.Baker的书上有讲一些简单的，可以看看。