关于esd的问题

梵高 · 发表于 2018-9-27 10:21:00

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在版图画ESD 的时候为什么 D端的孔都poly的间距要小于孔到源区的间距，原理是什么

andyfan · 发表于 2018-9-27 15:24:58

感觉你说反了。

账户已登录 · 发表于 2018-10-11 14:39:12

首先你说反了，单端ESD一般撑大的是drain端，双端ESD是souce和drain都需要撑大，增加cont到poly的space以及加入salicide block都是为了增大方块阻值，使ESD电流分布更均匀提高泄放能力

啓啟 · 发表于 2018-10-11 21:38:10

最近正在看esd的设计，你确实说反了

U零 · 发表于 2018-10-12 08:42:57

说反是肯定的。例如NMOS做ESD。常见的都是G S B短接结构。此时NMOS里寄生一个NPN结构。增加D到POLY距离使得NPN开启更容易。起到释放作用的面积更大。不然你ESD版图面积在大，起到ESD保护的面积也很小。还需注意栅氧击穿。

ncash0933 · 发表于 2018-10-12 09:38:25

thank you

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