关于Diode的问题

yogfadeless

想请教几个关于Diode的问题，望赐教。
    一是Lateral Diode。什么是Lateral Diode？是指使用横向的P+、well和N+形成的而不使用DNW的？
    二是Gated Diode。我的理解中Gated Diode一般用作ESD器件，那它作为ESD器件有什么好处？

yogfadeless

自救一波
在ESD二极管设计中，离子注入是二极管设计的关键。增加掺杂浓度可以增加本征温度（Ti）和减少二极管区域的焦耳发热。
在许多工艺中， 冶金结、金属硅化物和隔离区的交叉点容易发生ESD失效机制。在局部硅氧化（LOCOS）中，刻蚀工艺可以拉回隔离结构，就会导致形成的金属硅化物接近冶金结。局部硅氧化工艺的鸟嘴效应会导致硅化物和冶金结的间距减少。浅槽隔离工艺（STI）的下拉同样可以使硅化物的厚度接近冶金结的深度，减少冶金结的有效深度。
引入多晶硅界定的二极管（Gated Diode）是为了避免在STI结构中出现金属硅化物。如下图所示：


多晶硅MOSFET栅极结构充当金属硅化物掩模，界定了p+阳极和n+阴极。这种结构有两个优点。第一，通过消除STI区域实现高密度二极管结构。第二，电流横向穿过表面，从而减小了p+阳极和n+阴极之间的串联电阻。
栅极结构的电学连接的选择会影响负载、工作和过电应力或者失效机制。栅极结构可以连接到阳极、阴极、电源地或者浮空。在许多工艺中，栅极结构浮空对半导体制造中的充电问题和天线效应来说是一个问题，故使用浮空的多晶硅是不允许的。
参考资料
[1] Steven H, Voldman著，常昌远，钟瑞译. ESD电路与器件[M] 电子工业出版社，2008,(1):144-150.

不走寻常路

自救加分+

PN_Allen

很棒，就是不知道这本中文版的书可不可以分享下

rhythm_ss

谢谢信息

lndxeb

gate diode 里gate还起作用吗