高边驱动电路里的高边侧里的驱动P管的NW与psub耐压不够

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高边nmos管的隔离n阱与psub形成的二极管耐压能到860V（意味着电源到地能有860V），可PMOS管的NW与psub形成的二极管耐压只有38V，这样电源最高电压就不能超过38V，那高边nmos管设计成这么高有什么用？

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同学。