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[资料] 台湾成功大学: Physics and Modeling of FinFET and UTB-SOI MOSFETs

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发表于 2018-6-1 13:36:15 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 bonyou 于 2018-6-1 17:50 编辑

台湾成功大学电机系卢达生教授的讲议。卢达生教授是胡正明教授(UC BERKELEY电机系教授)的学生。
[size=63.928px]"Physics and Modeling of FinFET and UTB-SOI MOSFETs"
[size=63.928px]

[size=63.928px]

Lu_SNDT17_FinFET_Modeling_v2.pdf

1.16 MB, 下载次数: 495 , 下载积分: 资产 -2 信元, 下载支出 2 信元

发表于 2018-6-1 15:02:10 | 显示全部楼层
goooooood joooooooooob
发表于 2018-6-1 17:49:32 | 显示全部楼层
发表于 2018-6-1 21:49:33 | 显示全部楼层
thanks for sharing
发表于 2018-6-2 18:13:46 | 显示全部楼层
多谢分享
发表于 2018-6-2 20:15:59 | 显示全部楼层
thanks for sharing
发表于 2018-6-3 03:37:39 | 显示全部楼层
kan e kan
发表于 2018-6-4 07:31:58 | 显示全部楼层
感谢楼主分享~~~
发表于 2018-6-6 09:21:18 | 显示全部楼层
谢谢分享
发表于 2018-6-11 07:24:18 | 显示全部楼层
good material
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