模拟版图不同电位器件隔离

ch085234 · 发表于 2018-5-21 17:16:52

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隔离是nwell之间的距离三微米有点大没办法利用起来，有什么更好的隔离方法吗？

firewolf223 · 发表于 2018-5-21 17:23:28

把相同电位的device 尽量放在一个nwell 里。
不同电位的nwell 用guardring 包起来

ch085234 · 发表于 2018-5-21 17:43:17

回复 2# firewolf223

guardring是由什么组成的？有什么要注意的吗？

lwq_119 · 发表于 2018-5-22 09:22:32

回复 3# ch085234

psub包住隔离开就好了，相同电位的器件放一起可以省面积

每天甩油的猪 · 发表于 2018-5-22 10:56:33

回复 3# ch085234

不同电位的nwell之间用guardring(即ground 环)隔离开，主要是由P+ tap组成，和常规NMOS的隔离环层次一样，只是有时候说法不同。

firewolf223 · 发表于 2018-5-22 11:21:10

回复 3# ch085234

就是p pick up
这么说吧，如果你要减小面积不同电位的nwell 可以再放大一点，把nmos 放中间，肯定超过3um了。
如果你的工艺在90nm 以下注意一下WPE
尽量不要违反design rule ，其实3um 这个value 也不一定的，就算你放到2 只要电压不高也不会有啥问题。
但是万一有啥问题的时候fab 就说你没有on rule 。有些时候有些问题真的说不清

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