复旦大学RFIC实验室内部学位论文集

logi123 · 发表于 2007-11-18 18:31:24

太多了,看不完

guilinwxb · 发表于 2008-3-17 20:37:16

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guilinwxb · 发表于 2008-3-17 22:48:40

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guilinwxb · 发表于 2008-3-17 22:55:41

very good 3Q

guilinwxb · 发表于 2008-3-17 22:58:04

LNA的性能指标主要是噪声系数、增益、工作频段、电压驻波比以及增益平坦度，尤其是噪声系数和增益对整机性能影响较大。
在频率较高的频段设计制作放大器，我们通常采用场效应管FET。放大器的噪声系数和信号源的阻抗有关，放大器存在着最佳的信号源阻抗。放大器的输入匹配电路应该按照噪声最佳的原则进行设计，此时放大器的噪声系数是最小。为了获得较高的功率增益和较好的输出驻波比，输出匹配电路则采用共轭匹配。输入匹配电路做最佳噪声匹配时，放大器的输入阻抗不一定恰好与信号源阻抗匹配，因而功率放大倍数不能达到最大值。也就是说，为使噪声最低，要牺牲一点增益来换取噪声系数的降低。 0sZ
如果增益不够，需采用多级放大电路。原则上前级放大器相对注重噪声系数性能，输入端口针对最佳噪声系数要求设计匹配电路，不要求增益太高。后级放大器则相对注重增益性能，适当降低对噪声系数的要求。就是说输出端口和级间针对增益最大和平坦度进行匹配电路设计。
特别需要注意的是，因为FET都存在着内部反馈，当反馈量达到一定强度时，将会引起放大器稳定性变坏而导致自激，因此在作端口匹配前，我们先要判断场效应管的稳定性。

read_ljr · 发表于 2008-3-18 00:14:32

复旦大学的RFIC，很牛，从老唐写的文章就可以看到

ana192712 · 发表于 2008-4-19 09:41:02

ddddddddddddddddddddddd

ana192712 · 发表于 2008-4-19 09:41:54

dddddddddddddddddd

ana192712 · 发表于 2008-4-19 09:45:15

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overcomeyu · 发表于 2008-4-25 23:36:41

难道LZ是rfic.fudan.edu.cn内部地？？？

复旦大学RFIC实验室内部学位论文集

3Q

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very well

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