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楼主: toolsboy

复旦大学RFIC实验室内部学位论文集

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发表于 2007-11-18 18:31:24 | 显示全部楼层
太多了,看不完
发表于 2008-3-17 20:37:16 | 显示全部楼层

3Q

3QQQQQQQQQQQQQQQQQQQQQ
发表于 2008-3-17 22:48:40 | 显示全部楼层

3Q

3Q3Q3QQQQQQQQQQQ
发表于 2008-3-17 22:55:41 | 显示全部楼层

very well

very good 3Q
发表于 2008-3-17 22:58:04 | 显示全部楼层

s

LNA的性能指标主要是噪声系数、增益、工作频段、电压驻波比以及增益平坦度,尤其是噪声系数和增益对整机性能影响较大。
在频率较高的频段设计制作放大器,我们通常采用场效应管FET。放大器的噪声系数和信号源的阻抗有关,放大器存在着最佳的信号源阻抗。放大器的输入匹配电路应该按照噪声最佳的原则进行设计,此时放大器的噪声系数是最小。为了获得较高的功率增益和较好的输出驻波比,输出匹配电路则采用共轭匹配。输入匹配电路做最佳噪声匹配时,放大器的输入阻抗不一定恰好与信号源阻抗匹配,因而功率放大倍数不能达到最大值。也就是说,为使噪声最低,要牺牲一点增益来换取噪声系数的降低。 0sZ
如果增益不够,需采用多级放大电路。原则上前级放大器相对注重噪声系数性能,输入端口针对最佳噪声系数要求设计匹配电路,不要求增益太高。后级放大器则相对注重增益性能,适当降低对噪声系数的要求。就是说输出端口和级间针对增益最大和平坦度进行匹配电路设计。
特别需要注意的是,因为FET都存在着内部反馈,当反馈量达到一定强度时,将会引起放大器稳定性变坏而导致自激,因此在作端口匹配前,我们先要判断场效应管的稳定性。
发表于 2008-3-18 00:14:32 | 显示全部楼层
复旦大学的RFIC,很牛,从老唐写的文章就可以看到
发表于 2008-4-19 09:41:02 | 显示全部楼层
ddddddddddddddddddddddd
发表于 2008-4-19 09:41:54 | 显示全部楼层
dddddddddddddddddd
发表于 2008-4-19 09:45:15 | 显示全部楼层
ddddddddddddddddddd
发表于 2008-4-25 23:36:41 | 显示全部楼层
难道LZ是rfic.fudan.edu.cn内部地???
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