求助：Bandgap仿真和测试有差距

zcqzxczxc · 发表于 2018-4-11 15:09:18

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本帖最后由 zcqzxczxc 于 2018-4-12 09:32 编辑

最近小弟参与的项目中bandgap基准（一阶补偿）中的温度系数有差距，T代工，仿真温度系数最好10ppm/C，测试最好25ppm/C，查看电路和版图没有太大问题。后面看了文档（Bob Pease：The Design of Band-Gap Reference Circuits: Trials and Tribulations ）说仿真模型会存在偏差，于是偏向于将问题的原因归结为模型不准确。工艺模型中的Vbe和温度的建模精确度有多高？请问论坛大神有这方面的经验或这建议么？

zcqzxczxc · 发表于 2018-4-11 20:25:07

顶,别沉啊～！！

zcqzxczxc · 发表于 2018-4-12 00:05:54

有人吗

122013137 · 发表于 2018-4-12 10:34:27

不同的工艺厂水平不同

PowerTheFuture · 发表于 2018-4-15 10:49:33

很正常，bandgap就是要实测才可以。

zcqzxczxc · 发表于 2018-4-16 16:55:05

回复 5# PowerTheFuture

那具体是什么原因引起了这偏差，我看有论文说是封装影响很大，请问您有什么看法么？那这种偏差如何在设计前预测呢？

thomas9211 · 发表于 2018-4-16 17:39:09

為何不是看平均

zcqzxczxc · 发表于 2018-4-19 14:56:11

回复 7# thomas9211

看的就是平均，差不多是30多片平均的结果

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