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[求助] 求ESD 论文

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发表于 2017-12-21 23:44:42 | 显示全部楼层 |阅读模式

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求  论文

Electrical–Thermal–Stress Coupled-Field Effect in SOI and Partial SOI Lateral Power Diode


ESD 求  论文
0.25µm 60V高压LDMOS元件高静电防护能力设计
研究生:    李敏华
研究生(外文):    LEE, MIN-HUA
论文名称:    0.25µm 60V高压LDMOS元件高静电防护能力设计
论文名称(外文):    Designs of High ESD Robustness in the 0.25µm 60V HV LDMOS

100至200伏特SOI制程高压积体电路之静电放电防护设计
研究生:    黄义杰
研究生(外文):    Huang, Yi-Jie
论文名称:    100至200伏特SOI制程高压积体电路之静电放电防护设计
论文名称(外文):    On-Chip ESD Protection Design for High-Voltage ICs in 100 ~ 200V SOI Process



60V nLDMOS不同布局型式抗ESD能力之研
研究生:    林俊儒
研究生(外文):    LIN, CHUN-JU
论文名称:    60V nLDMOS不同布局型式抗ESD能力之研究
论文名称(外文):    A Study of ESD Robust Evaluation in the 60V nLDMOS with Different Layout Types

高压24V/45V/60V n/pLDMOS结构调变之抗ESD能力研究
研究生:    陈奎君
研究生(外文):    CHEN, KUEI-JYUN
论文名称:    高压24V/45V/60V n/pLDMOS结构调变之抗ESD能力研究
论文名称(外文):    A Study of Anti-ESD Capability by Structure Modulations in HV 24V/45V/60V n/pLDMOS Devices

SOI MOSFET 元件结构之特性探讨及应用_
研究生:    邱子芸
研究生(外文):    Tzu-yun Chiu
论文名称:    SOI MOSFET 元件结构之特性探讨及应用
论文名称(外文):    Investigation and application of the performance of the SOI MOSFET
发表于 2017-12-22 09:09:28 | 显示全部楼层
huang2011.pdf (1.14 MB, 下载次数: 27 ) 回复 1# peterlin2010
发表于 2017-12-22 09:11:36 | 显示全部楼层
 楼主| 发表于 2017-12-23 09:52:33 | 显示全部楼层




    sci-hub 一般IEEE  後來有找到 ,但是一般 论文  好像沒有   

0.25µm 60V高压LDMOS元件高静电防护能力设计
研究生:    李敏华
研究生(外文):    LEE, MIN-HUA
论文名称:    0.25µm 60V高压LDMOS元件高静电防护能力设计
论文名称(外文):    Designs of High ESD Robustness in the 0.25µm 60V HV LDMOS

100至200伏特SOI制程高压积体电路之静电放电防护设计
研究生:    黄义杰
研究生(外文):    Huang, Yi-Jie
论文名称:    100至200伏特SOI制程高压积体电路之静电放电防护设计
论文名称(外文):    On-Chip ESD Protection Design for High-Voltage ICs in 100 ~ 200V SOI Process



60V nLDMOS不同布局型式抗ESD能力之研
研究生:    林俊儒
研究生(外文):    LIN, CHUN-JU
论文名称:    60V nLDMOS不同布局型式抗ESD能力之研究
论文名称(外文):    A Study of ESD Robust Evaluation in the 60V nLDMOS with Different Layout Types

高压24V/45V/60V n/pLDMOS结构调变之抗ESD能力研究
研究生:    陈奎君
研究生(外文):    CHEN, KUEI-JYUN
论文名称:    高压24V/45V/60V n/pLDMOS结构调变之抗ESD能力研究
论文名称(外文):    A Study of Anti-ESD Capability by Structure Modulations in HV 24V/45V/60V n/pLDMOS Devices

SOI MOSFET 元件结构之特性探讨及应用_
研究生:    邱子芸
研究生(外文):    Tzu-yun Chiu
论文名称:    SOI MOSFET 元件结构之特性探讨及应用
论文名称(外文):    Investigation and application of the performance of the SOI MOSFET
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