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[原创] 这个电阻是个三端器件还是个两端器件?

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发表于 2017-12-6 16:38:02 | 显示全部楼层 |阅读模式
悬赏100资产未解决
这个电阻是个三端器件还是个两端器件?gnda这一端在cellmap中按普通的端一样定义么?
微信截图_20171206164357.png

微信截图_20171206164435.png

发表于 2017-12-6 16:44:32 | 显示全部楼层
三端器件,难道是P阱上的扩散电阻?
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发表于 2017-12-6 18:13:29 | 显示全部楼层
本帖最后由 sea11038 于 2017-12-6 18:24 编辑

两端器件吧,那个接地的一般只能接地,比如有NBL埋层工艺的P隔离阱内的N电阻
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发表于 2017-12-6 19:16:39 | 显示全部楼层
三端电阻,
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发表于 2017-12-7 09:15:45 | 显示全部楼层
三端,那个只是衬底电位。
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 楼主| 发表于 2017-12-7 17:07:10 | 显示全部楼层
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 楼主| 发表于 2017-12-7 17:09:00 | 显示全部楼层


   
两端器件吧,那个接地的一般只能接地,比如有NBL埋层工艺的P隔离阱内的N电阻
sea11038 发表于 2017-12-6 18:13




    那cellmap应该定义两端?但是结果不对
微信截图_20171207171619.png
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 楼主| 发表于 2017-12-7 17:17:37 | 显示全部楼层


   
三端,那个只是衬底电位。
king0798 发表于 2017-12-7 09:15



那这个cellmap的定义对么?
微信截图_20171207171351.png
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发表于 2017-12-8 08:25:38 | 显示全部楼层
回复 8# istart_2002

对于电阻,从电路原理上来说就是个两端器件,但考虑版图的话多数电阻都是三端器件,第三端不是接电源就是接地,一般不会有第三种接法,不同电阻的仿真model有些有关于第三端的寄生效应的影响有些没有,无非是工艺的建模精度或者版图层次清晰度的考虑。就像N阱PMOS管,一般认为是四端器件甚至三端器件,但也有些工艺就是给出了五端器件的形式,把Psub也作为一端。我不太清楚您纠结于两端或者三端的目的,只要弄懂引出器件第三端的工艺结构或版图原理,清楚仿真或建模的机理就可以了,没必要钻牛角尖。
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发表于 2017-12-8 19:38:15 | 显示全部楼层
只要弄懂引出器件第三端的工艺结构或版图原理,清楚仿真或建模的机理就可以
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