请教一个LDO中SRE电路的问题

leoLD · 发表于 2017-10-26 19:53:05

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本帖最后由 leoLD 于 2017-10-27 09:27 编辑

SRE部分

在上图中，Is2比Is1大，导致Vcont低，Msw管关断，当Is2减小时，Vcont增加，使Msw管导通。
请问其中的原理是什么？能详细解释下吗，谢谢。

电路

完整电路结构

applecorexx · 发表于 2017-10-27 00:14:32

能把图贴全了吗？这怎么看

leoLD · 发表于 2017-10-27 09:29:37

回复 2# applecorexx

这好像跟完整电路关系不大吧，我搞不清电流一大一小改变能影响MOS管栅电压的原因

aircraft · 发表于 2017-10-27 13:03:57

回复 3# leoLD

电流决定了RON，电压无非就是上下RON的分压

leoLD · 发表于 2017-10-27 13:54:16

回复 4# aircraft

恩，宏观上好像可以这样理解。能不能理解为
一开始设定Is2大，紧接着稳定下来后Is1和Is2一样大，但是Ms1管的Vgs不变，所以导致其Vds增大，压低了Vcont，导致Msw关断？

kris_micro · 发表于 2017-10-27 17:13:00

回复 1# leoLD
IS1和IS2只是你分开计算PMOS和NMOS管的电流，定义的是MOS管的电流驱动能力，实际上两者工作时是相等的。然后你列一下MOS管电流饱和区完整表达式，就会发现在PMOS管电流驱动能力大于NMOS的时候，只能减小PMOS的VDS和增大NMOS的VDS，表现为你说的电压上升

leoLD · 发表于 2017-10-30 08:20:02

回复 6# kris_micro

受教了

gakuse · 发表于 2017-10-30 09:17:41

thanks for your sharing

苍雪之天 · 发表于 2017-10-30 13:38:54

这个电路的话，你要看是起到什么作用，以及Vcont上下管的W/L,上管P管VGS为一个VTH,而下管栅极电压是误差放大器输出端，这是一个负反馈,下管的开启与关断是一个反馈过程，所谓的电流大小其实并不准确。。下管是来拉低Vout的电压，而且这里的Error基本就是一个电压跟随器，无非是Vout端和V+中间夹了一个电阻

zgtianlei · 发表于 2017-11-16 09:25:05

请问有这篇paper吗

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