|
发表于 2017-10-13 15:11:05
|
显示全部楼层
有很多方面去考虑,简单列举一下,希望能够逗你的理解有帮助
(1)delta(VTH), delta(IDSAT)/IDSAT%, delta(Gm)/Gm,查看每个工艺文件的model文档中都有这三个参数的变化图
(2)另外就是噪声电流,这个都可以查到
(3)各个端口的寄生电容C,不同W,L都可以影响到该值
(4)STI的影响也是受MOS管的栅长度和栅极到扩散区的距离的影响,进而影响到MOS器件的u
(5)VTH,IDSAT等也受L的影响,可参考各自工艺文件的model文档 |
|