如何消除bandgap上电过程中出现的振荡

hszgl · 发表于 2017-10-10 12:04:30

本帖最后由 hszgl 于 2017-10-10 12:06 编辑

回复 9# ljxcanye

迟滞说的是迟滞比较器，是hysteresis，不是delay。
你虽然震荡但是还是能启动，那就不是相位裕度的问题。而且慢上电，讨论什么相位裕度？
我让你把反相器换成施密特触发器。我看你是压根没看懂我在说什么。

ljxcanye · 发表于 2017-10-10 14:15:50

回复 11# hszgl

这个BG主要是产生一个基准电压，然后利用电压电流转换器生成一个基准电流，消除这个振荡现象主要是为了预防万一。

回到迟滞比较器，由于振荡现象是在启动过程中出现，启动电路由开启到关闭过程中反相器的输出是由高到低的一个转换过程，电路里的反相器的NMOS是由40个相同的管子并联，反相器的转换阈值约为0.35V，与迟滞比较器有类似的功能（因为只关心反相器输出由高到低的转换过程）。而在VDD为0.47~0.61V区间，反相器的输入电压不足以开启NMOS，所以我才说迟滞比较器没用。

hszgl · 发表于 2017-10-11 01:08:43

本帖最后由 hszgl 于 2017-10-11 01:17 编辑

回复 12# ljxcanye

你确定反相器和迟滞比较器有类似功能？迟滞比较器的阈值分为上阈值和下阈值，和反相器完全不同。
你的问题就出在反相器上，在BG输出电压达到阈值的瞬间，输出状态转换使得电源电位抖动，影响BG使其输出又略低于阈值，反相器再次状态转换，造成反复抖动。
如果此时存在一定迟滞区间，例如上阈值为0.36，下阈值为0.34，那么在到达上阈值0.36时状态转换，引起BG输出略微下降却不低于下阈值0.34，那么电平状态就不会再次转换。
施密特触发器就是迟滞比较器的一种，它有很多种实现形式，不一定需要NMOS完全开启才能工作。
你在否定我的方案之前，最好自己先研究下迟滞比较器的原理。

ljxcanye · 发表于 2017-10-12 09:20:06

回复 14# hszgl

加一个迟滞比较器还是没用，倒是让我把振荡过程弄明白，你看看对不对。现在把反相器换成迟滞比较器，设迟滞比较器的输入输出电压分别为va、vb，其两个转换电压分别为voh、vol；与门的输出电压和控制的MOS管分别为vc、M1管，M1的漏极反馈回运放的输出电压vamp_o。在慢上电过程中vdd较小时，va比较小且小于voh(那时vdd电压下的voh，下同)，va、vb一直随vdd上升；当va大于等于voh时，迟滞比较器翻转，vb、vc由vdd电压变为0，M1管关闭，vamp_o上升（这是因为运放内部使得vamp_o上升），故而va不断下降直到小于vol，迟滞比较器翻转，vb、vc由0变为vdd电压，M1管开启，vamp_o下降（振荡时M1管放电作用比运放内部作用强），va不断上升直到va大于等于voh时，迟滞比较器翻转，vb、vc由vdd电压变为0，M1管关闭，vamp_o上升。这样就形成了振荡，直到vdd上升到一定电压，运放对vamp_o的作用大于M1的放电，振荡就结束了。之前没有振荡是因为vdd太小了。

振荡过程大致是这样，这样还要想办法消除这种振荡现象吗？到现在我还没有想到什么好的办法消除。