求教大神解答：关于晶体管工作区域划分问题的疑问

qin217

在sansen书上面，我们指导根据弱反型和强反型公式，可得出两者之间临界点电压为2nVt,大约为70mV，然后工作在强反型区域的Vod电压设定在150~500mV范围内；但是在Tradeoffs and optimization in analog CMOS design中，将其分为三个区域，分别为弱反型（Vod<-72mV）,中等反型区(-72mV<Vod<225mV）,强反型（225mV<Vod），请教各位大神，这两个划分有没有相互矛盾？大家有没有什么独特的见解？

david_reg

从弱反型到强反型是一个逐渐过渡的过程, 不是到了某个Vod电压就突变, 所以我觉得可以用中等反型区来表示中间的过渡区.