Sentaurus TCAD总剂量仿真求助

发表于 2017-9-4 08:35:23 | 显示全部楼层 |阅读模式

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请问谁有用Sentaurus TCAD仿真CMOS器件电离总剂量效应的例子啊？我查看了sdevice的user guide里面关于辐射效应的章节，按照里面的代码模板添加了Radiation，可是计算出来的MOSFET转移特性结果和不加Radiation完全一样....

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