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请教VCO的设计

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发表于 2007-6-17 14:01:54 | 显示全部楼层 |阅读模式

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刚刚开始设计VCO,之前觉得只要振出一个想要的频率应该挺容易的,事实上好像没那么简单。不知道是不是寄生电容参数算的不对的问题。用的是常见的交叉耦合的lc tank 的结构,在cadence里,作DC分析后,直接看管子的DC Operating Point,这样得到的寄生电容参数有什么问题吗?
  还有一个问题是,对这种交叉耦合的结构,从负阻的角度看,一种起振的条件是负电阻要比要比等效电阻大,这样得出管子的跨导就小于某个值;另一种是负导纳要比等效导纳大,这样得出管子的跨导就大于某个值,这两者怎么选取。在一篇论文里看到,要看电流是接近正弦的还是电压是接近正弦的,但不知道为什么。
   麻烦知道的解释一下,多谢了
发表于 2007-6-18 10:14:03 | 显示全部楼层
对于只用NMOS做交叉耦合对的LC VCO,NMOS做交叉耦合对提供的负阻为-2/gm,起振条件为gm》a .2/Rp ,Rp为LC回路的等效并联电阻,a为起振安全因子
对于同时用NMOS,PMOS对提供负阻的LC VCO, 提供的负阻为-1/gm, 起振条件为gm》a .1/Rp
 楼主| 发表于 2007-6-18 12:59:30 | 显示全部楼层
多谢!起振条件为,起振条件为gm》a .2/Rp ,是根据负导纳比正导纳大得出的吗?而不是根据负电阻要比正电阻大得出的吧?这里的Rp不是一个LC回路的并联电阻,而是两个两个串联LC电路的等效电阻,对吗?

原帖由 xftang 于 2007-6-18 10:14 发表
对于只用NMOS做交叉耦合对的LC VCO,NMOS做交叉耦合对提供的负阻为-2/gm,起振条件为gm》a .2/Rp ,Rp为LC回路的等效并联电阻,a为起振安全因子
对于同时用NMOS,PMOS对提供负阻的LC VCO, 提供的负阻为-1/gm ...

发表于 2007-6-18 13:25:03 | 显示全部楼层
起振条件为,起振条件为gm》a .2/Rp ,是根据负导纳比正导纳大得出的吗?

是的,对于NMOS、PMOS互补交叉耦合的LC-VCO,NMOS、PMOS互补交叉耦合对提供负导纳-gm,起振条件 gm》a×Gtank,      Gtank为谐振回路的等效并联导纳Gtank=1/Req, Req主要由回路的电感寄生电阻等效而来

如果从电阻来考虑,NMOS、PMOS互补交叉耦合对提供的负阻-1/gm,起振要满足 Req-1/gm》0,于是gm》a×1/Req, 与上面的分析是一样的
发表于 2010-11-28 23:03:42 | 显示全部楼层
学习学习
发表于 2014-11-3 13:43:37 | 显示全部楼层
負阻比阻抗大就不起振拉
发表于 2016-4-17 05:13:16 | 显示全部楼层
回复 4# xftang


如果从电阻来考虑,NMOS、PMOS互补交叉耦合对提供的负阻-1/gm,起振要满足 Req-1/gm》0,于是gm》a×1/Req

正阻大于负阻,网络能量消耗大于补偿,系统震荡不就慢慢衰减了?
发表于 2016-4-17 05:15:14 | 显示全部楼层
回复 6# zhoujian0907


    为什么?
发表于 2016-10-9 15:34:27 | 显示全部楼层
学习了。。。
发表于 2021-9-1 13:30:12 | 显示全部楼层


他这个不是计算的负阻gm大于正阻的阻抗吗?大于正阻提供的能量就能维持震荡了啊

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