求教几个小问题，请各位帮忙，先行谢过

大力射门

1、天线效应中，长金属下积累电荷，解决方法之一在gate处跳线。请问，电荷会不会通过via由下层金属转移到上层金属？如果能转移，还是可能 击穿栅氧。如果不能转移，请问工艺中有什么相应步骤？
2、画低压输出管时，drain端cont to  poly 规则放大，据说可以提高击穿电压。物理结构没什么变化，如何提高的呢？
     另有一说， drain端有个小电阻，规则放大，电阻变大，是这样吗？

再次感谢各位解惑。

大力射门

沉了么？？？？

motofatfat

是沉了沒錯 .
1.通常做 metal 時 會有 消電荷的步驟
2.我也不知道 ,

大力射门

是沉了沒錯 .
1.通常做 metal 時 會有 消電荷的步驟
2.我也不知道 ,
motofatfat 发表于 2017-8-2 09:46

                               
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十分感谢，已解惑一题。

zhutx66

1，天线效应：金属在刻蚀时会有电荷积累，面积大积累电荷多，容易击穿栅氧。一层金属做完会有清洗的步骤，必然会去除积累的电荷，所以只能上层金属往下层金属传递电荷，而不能下层往上层传递电荷。
2，drain端CT到poly放大能够增加一个寄生的电阻，有缓冲作用，更重要的是增加管子导通的均匀性，不容易击穿。

大力射门

1，天线效应：金属在刻蚀时会有电荷积累，面积大积累电荷多，容易击穿栅氧。一层金属做完会有清洗的步骤，必 ...
zhutx66 发表于 2017-8-3 10:46

                               
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   十分感谢。第二个问题清楚了。   麻烦问下，比如：做完一铝——》清洗，去除电荷——》铝连接到管子栅极，      不是不会击穿了吗，因为电荷去除了？