cap-less LDO结构选取

Luxuchang · 发表于 2017-7-21 15:16:42

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如题，本屌在研究一种cap-less LDO结构，要求如下：1.CL=1nF
2.负载响应：0~100mA，rise/fall：1uS，ripple<±150mV
3.VDD:2~3.6V，总电流<30uA

各位大佬有没有比较好点的误差放大器结构推荐呀~

我主要的困惑是输出电容比较大，如果结构选取不当，输出很容易成为主极点，这样就不是cap-less的目的了，在一个就是瞬态响应要求比较大，貌似很多瞬态增强电路都木有啥用。。。

ps:发快啦，这种贴没法悬赏

Luxuchang · 发表于 2017-7-21 15:18:05

一楼自己坐了，顶一下

Luxuchang · 发表于 2017-7-21 15:21:40

目前的话，我的output ripple比较大，误差放大器的稳定性还没调好，可能与相位有一定关系，另外是不是和EA的SR也有关系。

跪求瞬态增强电路，或者比较好的误差放大器

Luxuchang · 发表于 2017-7-21 16:48:41

如何降低output ripple呢？求指导，和误差放大器的带宽、相位裕度、SR这些有关吗？
这种指标下的LDO带宽一般是什么量级？

刚接触这个，好多疑问

[求助] cap-less LDO结构选取

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