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低压高速LDO电路系统的分析与设计
AnalysisandDeignofHighSpeedLDOCircuits
HUANGJing2sheng,WUJin,LIUFan,YAOJian2nan
(WuxiBranchofSoutheastUniversity,WuxiJiangsu214028,China)
Abstract:BasedontheanalysisofgenericLow2DropoutCircuitanditsfrequencyresponse,thedynamicperformance
restrictionofLDOwasanalyzed.And,threekindsoflargercurrentdrivingLDOcircuitsconsistofNMCNR,AFFC
andself2biasedOParepresentedonemphasesandtheinfluenceofdifferentcompensationonsystemdynamicperform2
anceandstabilityareanalyzedandcompared.ThesimulationresultsareobtainedbyHspicebasedonCSMC0.6Lm
CMOSprocess,whichindicatedthattheclearlyimprovementintransientresponsehasbeenrealizedinthesystem.
低压高速LDO电路系统的分析与设计
黄晶生,吴 金,刘 凡,姚建楠
摘 要:在基本LDO电路结构及其频率特性分析的基础上,分析了常规LDO电路动态特性局限产生的根源,并重点讨论了
基于NMCNR!AFFC及自适应偏置三种运放结构大电流负载驱动的高速LDO电路设计,分析!比较了不同补偿方式对系统
动态性能和稳定性的影响.采用CSMC0.6LmCMOS工艺,通过Hspice完成了电路性能的模拟,实际结果验证了电路在负载
瞬态调节性能上的明显改善和提高. |
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