版图ESD求助

randysong · 发表于 2017-4-24 10:05:28

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一输入输出端口I，最大电压为16V，挂载的ESD开启电压设计为18V，同时该端口通过一个二极管连接的NMOS器件连入内部（接法为：该端口接G/S，使用的PN结为D和B。另外，S端做了ESD的规则处理，D端未做ESD的规则处理），该NMOS的D/S击穿电压为19V。理论上来说ESD器件可以对该NMOS进行比较好的保护，但是在ESD的实际测试时发现，在1kV的时候，该NMOS器件已经被损坏。请问是什么原因导致出现这种现象？如果要提高该NMOS器件的ESD承受能力，要对该器件进行如何处理（将G悬浮会不会好一些）？

Snowy2016 · 发表于 2017-4-24 11:08:55

如果是怀疑G端被打坏，不建议floating，可以考虑通过电阻再接到S。
此外，建议您到ESD/Latch-up 版块去问问，那边有更多的ESD先关资源。

randysong · 发表于 2017-4-24 11:28:56

回复 2# Snowy2016
谢谢！

上官天 · 发表于 2017-6-6 15:25:56

苏沐 · 发表于 2017-6-9 11:44:32

为什么D端不做ESD处理？

firewolf223 · 发表于 2017-6-9 13:52:30

S端ESD处理？？一般是对D做ESD处理吧

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